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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括多平面结构的非易失性存储装置-CN201610997565.0有效
发明人：郭东勋;边大锡;尹治元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种非易失性存储装置包括：具有第一平面和第二平面的存储单元阵列和通过第一串选择线连接至第一平面并且通过第二串选择线连接至第二平面的地址译码器。地址译码器将串选择信号和串未选择信号提供给第一串选择线和第二串选择线。第一译码器基于对应于第一平面和第二平面的不同串选择线地址而将串选择信号和串未选择信号提供给每个平面中的第一串选择线和第二串选择线。
包括平面结构非易失性存储装置

[发明专利]包括具有硅化物层的串选择线栅电极的三维存储器件-CN202010661124.X在审
发明人：金森宏治;姜书求;安钟善;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：该三维存储器件可以包括衬底、单元堆叠、串选择线栅电极、下垂直沟道结构、上垂直沟道结构和位线。串选择线栅电极可以包括下串选择线栅电极和形成在下串选择线栅电极的上表面上的上串选择线栅电极。下串选择线栅电极可以包括N‑掺杂的多晶硅。上串选择线栅电极可以包括硅化物。
包括具有硅化物层选择电极三维存储器件

[发明专利]非易失性存储器件-CN202210913374.7在审
发明人：高贵汉;朴相元;金旼勇;崔齐警;崔准虎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：该存储器件包括：字线，堆叠在衬底上；串选择线，在字线上，该串选择线在第一水平方向上彼此间隔开并在第二水平方向上延伸；以及存储单元阵列，包括存储块，每个存储块包括与字线和串选择线连接的存储单元。串选择线包括第一串选择线和比第一串选择线更远离字线切割区的第二串选择线，并且在对连接到所选字线和第一串选择线的第一存储单元执行的编程操作之前，执行对连接到所选字线和第二串选择线的第二存储单元执行的编程操作
非易失性存储器

[发明专利]一种非易失性存储器及其验证读取方法-CN202110302047.3有效
发明人：许锋;李达;张安;靳磊;田瑶瑶;王启光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器，包括：存储单元阵列，包括多条存储串，每条存储串包括多个存储单元、底部选择管和顶部选择管；多条字线，分别连接所述多个存储单元；串选择线，连接到所述顶部选择管；地选择线，连接到所述底部选择管；控制器，被配置为在验证读取阶段之前的预脉冲阶段中，控制地选择线使将选择的存储串和/或非选择的存储串的底部选择管关断；控制字线使各存储串中的存储单元导通；控制串选择线使选择的存储串中的顶部选择管和/或非选择的存储串中的顶部选择管关断以进行预脉冲
一种非易失性存储器及其验证读取方法

[发明专利]非易失性存储器装置-CN202010020778.4在审
发明人：南尚完;千毅贤;闵丙俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：该非易失性存储器装置包括：第一存储器块，包括沿与基底垂直的方向堆叠的多个单元晶体管，所述多个单元晶体管与多条地选择线、多条字线和多条串选择线互连；块选择电路，与所述多条地选择线、所述多条字线和所述多条串选择线连接，并响应于块选择信号而将相应的驱动电压分别提供给所述多条地选择线、所述多条字线和所述多条串选择线；以及块未选择电路，仅与所述多条串选择线中的特定串选择线连接，并响应于块未选择信号而将截止电压仅提供给特定串选择线
非易失性存储器装置

[发明专利]具有公共位线的非易失存储器件-CN200610163183.4无效
发明人：金元柱;朴允童;玄在雄;金锡必;李政勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该NAND型非易失存储器件包括：第一串与第二串，其每个的一端分别连接到公共位线与公共源线。第一串与第二串每个都具有串行连接的串选择晶体管、多个单位器件、以及源选择晶体管。第一串选择线与第二串选择线分别连接到第一串与第二串的串选择晶体管的栅极。第一源选择线与第二源选择线分别连接到第一串与第二串的源选择晶体管的栅极。
具有公共非易失存储器件

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202210090830.2在审
发明人：胡瀚文;李永骏 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：该存储器装置的操作方法包括：于一第一阶段内，选择一整体信号线，选择一第一串选择线，不选一第二串选择线，选择一第一字线，以及不选一第二字线；于一第二阶段内进行感应；于一第三阶段内，维持该整体信号线、该被选第一字线与该不选第二字线的多个电压，不选该第一串选择线与选择该第二串选择线以将该第一串选择线与该第二串选择线的多个电压切换；以及于一第四阶段内进行感应。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]包括垂直沟道结构的存储器装置-CN202210904029.7在审
发明人：曺溶成;徐民宰;姜奎满;金炳秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元和多条串选择线；负电荷泵，被配置为生成负电平的偏置电压，偏置电压将施加到多条串选择线中的至少一条串选择线；以及控制逻辑电路，被配置为针对第一时段将预脉冲电压施加到多条串选择线之中的除了与从多个存储器单元之中选择的存储器单元连接的选择的串选择线之外的至少一条未选择的串选择线，并且此后将偏置电压施加到所述至少一条未选择的串选择线，以对选择的存储器单元执行读取操作。
包括垂直沟道结构存储器装置

[发明专利]用于修复有缺陷的串的方法和非易失性存储器器件-CN201811301816.2有效
发明人：沈善一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：非易失性存储器器件可以用修复存储器块的替换串选择线替换连接到多个存储器块中的有缺陷的存储器块的有缺陷的串的缺陷串选择线；以及访问修复存储器块的替换串选择线而不是有缺陷的存储器块的缺陷串选择线。非易失性存储器器件以串选择线为单位执行修复操作，并且可以有效地使用修复资源。
用于修复缺陷方法非易失性存储器器件

[发明专利]包括不对称的地选择线的存储器装置-CN202211433556.0在审
发明人：曹诚敏;朴商秀;刘忠昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种存储器装置包括：衬底；第一单元串、第二单元串和第三单元串，它们均连接至第一位线，并且在垂直于衬底的顶表面的方向上形成；第一上地选择线，其连接至第一单元串并且被配置为接收第一地选择信号；第二上地选择线，其与第一上地选择线分离，连接至第二单元串和第三单元串，并且被配置为接收与第一地选择信号不同的第二地选择信号；第一下地选择线，其连接至第一单元串和第二单元串，并且被配置为接收第三地选择信号；以及第二下地选择线，其与第一下地选择线分离，连接至第三单元串，并且被配置为接收与第三地选择信号不同的第四地选择信号。
包括不对称选择存储器装置

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法以及控制逻辑-CN201710934299.1有效
发明人：南尚完;边大锡;尹治元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C8/10 文献下载
摘要：所述非易失性存储器装置包括结合到包含串的存储器单元阵列的控制逻辑。控制逻辑被配置为在用于从被选择的串感测数据的感测操作的设置间隔期间控制被施加到未选择的串选择线的第一弱导通电压和被施加到未选择的地选择线的第二弱导通电压。未选择的串选择线和未选择的地选择线分别连接到同一个未选择的串的串选择晶体管和地选择晶体管。被选择的串和未选择的串共同连接到同一条位线。第一弱导通电压和第二弱导通电压分别小于未选择的串中的串选择晶体管和地选择晶体管的阈值电压。
非易失性存储器装置及其操作方法以及控制逻辑

[发明专利]三维非易失性存储器件-CN201210466375.8有效
发明人：崔殷硕;安正烈;金世训;朴龙大;林仁根;吴政锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的三维非易失性存储器件，包括多个位线；至少一个存储串行，所述至少一个存储串行沿着第一方向延伸、与所述位线耦接并且包括2N个存储串，其中N包括自然数；公共源极选择线，所述公共源极选择线被配置来控制包括在存储器块中的2N个存储串的源极选择晶体管；第一公共漏极选择线，所述第一公共漏极选择线被配置来控制包括在存储器块中的2N个存储串之中的第一存储串和第2N存储串的漏极选择晶体管；以及N‑1个第二公共漏极选择线，所述N‑1个第二公共漏极选择线被配置来控制除了所述第一存储串和所述第2N存储串之外的其余存储串之中的在第一方向上的相邻存储串的漏极选择晶体管。
三维非易失性存储器

[发明专利]三维存储器阵列的串选择线及其制作方法-CN201310611215.2有效
发明人：赖二琨 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维存储器阵列的串选择线及其制作方法，该三维存储器阵列的串选择线包括：介电基底、串选择线结构、第二导电层和氧化层。串选择线结构位于介电基底上，包括交替堆栈的多个介电层和多个第一导电层。第二导电层，覆盖串选择线结构的侧壁和顶部。氧化层位于这些第一导电层和该第二导电层之间，且与这些第一导电层和该第二导电层接触。
三维存储器阵列选择及其制作方法

[发明专利]存储器件-CN201811423583.3在审
发明人：南尚完;郭东勋;金完东;尹治元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明公开了存储器件，所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多条字线、在所述多条字线上方的第一串选择线，以及在所述第一串选择线与所述多条字线之间的第二串选择线；以及控制器。在读取连接到所述多条字线中的第一字线的第一存储单元的数据的操作期间，所述控制器向所述第一串选择线供应第一电压并向所述第二串选择线供应第二电压，其中所述第二电压大于所述第一电压。
串选择线字线存储器件存储单元阵列控制器读取操作期间存储单元

[发明专利]闪速存储器件及其操作方法-CN200610163536.0无效
发明人：李真烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种存储单元阵列包括由在串选择晶体管和接地选择晶体管之间串联连接的多个存储单元组成的与非串。在读取操作中，串选择晶体管基于串选择电压，控制与非串与位线之间的电连接。行选择电路通过串选择线、接地选择线、以及多个字线与存储单元阵列相连。在读取操作中，行选择电路基于行地址信号和读取电压，在多个字线中选择与读取存储单元相连的字线。电压产生电路产生串选择电压和读取电压。
存储器件及其操作方法

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