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[发明专利]不合格检测方法和不合格检测装置-CN200410047964.8无效
发明人：松下宏;门多健一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-06-09 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及根据在每一个晶片上产生的不合格分布，检测在半导体集成电路的制造工序中使用的异常制造装置的不合格检测方法和不合格检测装置。
不合格检测方法装置

[发明专利]半导体集成电路器件及其检测方法、半导体晶片、以及老化检测设备-CN200580032611.3无效
发明人：石飞贵志;大鸟隆志;田中泰资 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-06-01 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在对晶片进行晶片测试时或在晶片测试之后，对于合格品在其端子以外的芯片表面上附加保护膜。对于不合格品在包括其端子的整个芯片表面上附加保护膜，在这种状态下进行老化检测，能切断对老化工序之前被确定为不合格的芯片的电源供给和信号施加。另外，为了判断芯片是否为合格品还内置有自检电路，在芯片内部设置当判断为不合格品时停止芯片内部动作的功能或者将判断信号传送至老化检测设备，并由老化检测设备停止电源供给和信号施加，由此能切断对老化工序开始后确定为不合格的芯片的电源供给和信号施加
半导体集成电路器件及其检测方法晶片以及老化设备

[发明专利]一种应用于半导体的磁力喷墨测试工艺-CN201610741992.2在审
发明人：葛宜威;崔亮;王毅 -专利权人：扬州杰盈汽车芯片有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了一种操作简单，能够高效快速剔除不合格晶粒的应用于半导体的磁力喷墨测试工艺。包括以下步骤：S1、先激光切割晶片呈半切透状，形成若干待分离的晶粒；S2、测试晶粒，区分不合格晶粒；S3、磁性墨水配制；S4、晶片喷墨，对不合格晶粒进行喷墨；S5、烘干，将喷墨后的晶片放置在烘箱内，烘箱温度为80‑100℃，时间为15‑25min；S6、裂片，将待裂晶片放置在两张防静电麦拉纸之间，再通过硬质胶棒滚碾晶片，使其分裂成若干晶粒；S7、磁铁吸附带墨水的不合格晶粒，完成。
一种应用于半导体磁力喷墨测试工艺

[发明专利]晶片品质检验方法-CN201210289108.8有效
发明人：蔡振扬;周明澔;杨上毅;吴佳兴 -专利权人：旺矽科技股份有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片品质检验方法，包含有下列步骤：先设定一组检测参数；而后，扫描该晶片并依据所设定的参数检测各晶粒，并将扫描后的晶粒外观以及检测结果输出形成一晶粒状态图(Die Status Map)；依据产生的晶粒状态图产生一用以显示该晶片检测不合格的晶粒的不合格晶粒图；抽测所产生的不合格晶粒图中的至少一晶粒是否合格；若是，则修改该晶粒状态为合格，并依据抽测结果修改该晶粒状态图；储存并输出修改后的晶粒状态图
晶片品质检验方法

[实用新型]一种晶片分选机-CN201922237968.7有效
发明人：常德;李进阳 -专利权人：深圳市科锐尔自动化设备有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B07C5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶片分选机，包括：工作台，转盘，所述转盘转动的设置在工作台上，用于带动晶片旋转；上料机构，所述上料机构设置在工作台上，用于将晶片倒入所述转盘上；吸料机构，所述吸料机构设置在工作台上，用于吸取转盘上的晶片；检测机构，所述检测机构设置在工作台上，用于检测所述吸料机构吸取的晶片是否合格；所述吸料机构根据所述检测机构的检测结果将合格晶片与不合格晶片分开放置。通过上料机构将晶片倒入转盘上，然后转盘带动晶片旋转，使晶片散开，便于吸料机构吸取；吸料机构吸取转盘上的晶片，并根据检测机构的检测结果，将合格晶片与不合格晶片分开放置，实现晶片的自动化分选，避免人工分选，大大提高晶片的分选效率。
一种晶片分选

[发明专利]利用探针再测试数据分析提高晶片测试的生产率-CN200580015545.9有效
发明人：阿基克·F.·巴尔邱纳斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-05-25 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：公开了一种制造后的集成电路器件的晶片/探针测试方法和系统。以测试初始的一组器件(例如集成电路芯片)，产生未能通过该测试的初始的一组不合格器件，开始本发明。依据不合格的类型识别初始不合格组中的器件。随后，本发明重新测试初始不合格组中的器件，以识别通过再测试的一组再测试通过器件(100)。随后，本发明分析再测试通过组中的器件(102)，这使本发明能够根据不合格的类型，产生关于未能通过初始测试的不合格器件将通过再测试的可能性的统计(104)。随后，本发明评估这些统计，以确定哪些种类的不合格具有高于预定阈值的再测试通过率(106、108)。由此，本发明产生数据库，数据库包含列举允许进行再测试的各类缺陷的优化再测试表(112)。
利用探针测试数据分析提高晶片测试生产率

[发明专利]一种用于单晶片厚度检测设备-CN202110014496.8在审
发明人：韦沭 -专利权人：南京誉生缘商贸有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B07C5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单晶片厚度检测设备，包括检测装置，所述检测装置内还设有进行单晶片厚度检测的检测机构，所述检测装置内还设有提供装置动力的驱动机构，所述检测装置内还设有进行输送单晶片的辅助机构，该装置结构简单，操作便捷，该装置在正常使用时工作人员首先将装置放置在水平桌面上，然后再将单晶片放置在装置内，需逐个放置，之后装置会自动进行单晶片厚度的检测，当单晶片厚度位于检测合格的区间范围时，此时装置会自动将合格的单晶片放置在一起，若在此区间外，则处于不合格，此时单晶片会统一放置在不合格区，提高了单晶片厚度测量以及单晶片筛选的效率，降低了工作人员的劳动强度。
一种用于晶片厚度检测设备

[发明专利]一种无色莫桑石的制备方法-CN201910173192.9有效
发明人：刘欣宇;袁振洲 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种无色莫桑石的制备方法，包括：将高纯半绝缘碳化硅晶片放入坩埚，装炉并设置生长参数，通过加热所述坩埚，所述高纯半绝缘晶片升华而在坩埚顶部进行再结晶，冷却出炉得到无色莫桑石。成功解决了原料氮含量掺杂、莫桑石颜色灰黄、不合格碳化硅晶片再利用的问题。提高了碳化硅不合格晶片利用率，并获得无色莫桑石。
一种无色莫桑石制备方法

[发明专利]半导体集成电路器件及其检测方法、半导体晶片、以及老化检测设备-CN200810213124.2无效
发明人：石飞贵志;大鸟隆志;田中泰资 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-06-01 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种老化检测设备，该设备用于输出检测信号并且接收响应上述检测信号的PASS信号或FAIL信号来检测在半导体晶片上形成的多个半导体芯片，具有观测装置，该装置记录在检测时接收到上述FAIL信号的时刻和次数在对晶片进行晶片测试时或在晶片测试之后，对于合格品在其端子以外的芯片表面上附加保护膜。对于不合格品在包括其端子的整个芯片表面上附加保护膜，在这种状态下进行老化检测，能切断对老化工序之前被确定为不合格的芯片的电源供给和信号施加。
半导体集成电路器件及其检测方法晶片以及老化设备

[发明专利]半导体发光器件制造方法-CN200610121876.7有效
发明人：笔田麻佑子 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2006-08-25 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光器件的制造方法，包含：形成包含外延生长在基底基板上并包含有源层的多层半导体膜的晶片的步骤(P1、P2)、通过光激发晶片中的有源层并至少在两个温度点测量有源层的发射强度而对有源层进行合格/不合格判断的步骤(P3、P6、P8)、以及使用包含在合格/不合格判断中被判断为质量良好的有源层的多层半导体膜形成发光器件结构的步骤(P4、P5、P7、P9－P13)。
半导体发光器件制造方法

[发明专利]一种贴片晶振喷涂用专用工装-CN202210377064.8有效
发明人：童文鹏;罗俊强;戴文杰;徐仙;刘永涛 -专利权人：深圳市聚强晶体有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B05B13/02 文献下载
摘要：本发明属于贴片工装装置技术领域，特别涉及一种贴片晶振喷涂用专用工装，其特征在于：所述专用工装包括输送组件和上料组件；所述输送组件包括第一竖板、第二竖板和输送带；通过输送带中的活动腔体将上料组件掉落的晶片承载，当晶片在输送带上输送时与第一传感器、第二传感器触碰检测使用，准确判断晶片在输送带上输送时的位置，并通过PLC时刻接受第一传感器与第二传感器传递来的信号，检测产品是否合格，对于不合格的工件，及时筛选排除，不喷涂直接输出，对于合格的工件喷涂后再输出，并将合格品和不合格品分别输出，提高输出的贴片晶振的合格率和分拣效率。
一种贴片晶振喷涂专用工装

[实用新型]一种石英晶片表面污染物识别检测装置-CN202020879731.9有效
发明人：张斌;郑宝春;郑宝生 -专利权人：浙江蓝晶芯微电子有限公司
申请日： 2020-05-23 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G01N21/94 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石英晶片表面污染物识别检测装置，涉及生产检测设备技术领域。该石英晶片表面污染物识别检测装置，将晶片置于皮带输送机输送带上的圈定区内，通过皮带输送机将晶片向图像检测组件的方向输送，当工业高清面阵相机采集到晶片表面污染物的情况时反馈给后台计算机，从后台计算机储存的标准图像进行对比分析，确定晶片是否合格，若判定不合格时，后台计算机反馈信号至PLC电控柜，由PLC电控柜控制工业机械臂将不合格的晶片从皮带输送机的输送带上剔除。
一种石英晶片表面污染物识别检测装置

[发明专利]一种半导体晶片表面的测试装置-CN202111113171.1有效
发明人：陈能强 -专利权人：无锡昌鼎电子有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体测试技术领域，具体是一种半导体晶片表面的测试装置，包括测试台、上下料组件、移动组件、测试组件和不合格品存放组件，所述测试台的顶部对称设置有两个滑槽，所述测试台的顶部设有移动槽，所述移动槽位于两个滑槽之间，所述上下料组件设置在测试台的左侧，所述移动组件滑动安装在两个滑槽上，所述不合格品存放组件设置在测试台的右侧，所述测试组件架设在测试台上，并且测试组件位于上下料组件和不合格品存放组件之间，本发明实现全自动调节探头角度来适用于对不同型号的半导体晶片进行测试
一种半导体晶片表面测试装置

[发明专利]半导体存储器中的可编程芯片使能和芯片地址-CN200880025636.4有效
发明人：洛克·涂;陈健;亚历克斯·马克;郭天辰;法姆·朗 -专利权人：桑迪士克公司
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：存储器晶片提供有用于在封装之后允许禁止特定存储器晶片的可编程芯片使能电路，和/或用于在封装之后允许重新编址特定存储器晶片的可编程芯片地址电路。在多芯片存储器封装中，可以通过覆盖从控制器和主机设备接收的主芯片使能信号的可编程电路来把在封装级测试中不合格的存储器晶片从存储器封装中隔离和禁止。为了提供连续的地址范围，可以使用另一可编程电路来重新编址一个或多个无缺陷的存储器晶片，以取代由焊盘连接提供的唯一的芯片地址。在封装之后，还可以独立于检测不合格的存储器晶片来重新编址存储器晶片。
半导体存储器中的可编程芯片地址

[发明专利]不合格阴极板分选装置以及不合格阴极板分选方法-CN200710196082.1有效
发明人：牧公一;金田贵光;上野明 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： C25C7/08 文献下载
摘要：本发明提供一种不合格阴极板分选装置以及不合格阴极板分选方法，能够将产生鼓包(9)或弯曲等而被视为不合格品的阴极板(1)在移放到横动输送器(6)之前排除出去，预防由于不合格阴极板的原因而导致横动输送器(6该不合格阴极板分选装置(10)配置在下述系统中，该系统将通过电解精炼而电解淀积了精制金属(2)的阴极板(1)以横动输送器(6)向剥离装置进行输送、并以剥离装置从阴极板(1)上将电解淀积金属(2)剥离下来进行回收，其特征是，将产生了鼓包(9)或弯曲等而被视为不合格品的阴极板(层合板(A))在移放到横动输送器(6)上之前排除出去。
不合格阴极分选装置以及方法

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