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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光记录介质及其制造方法-CN200710128370.3有效
发明人：安孙子透;池田悦郎;古市信明;高瀬史则 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-01-22 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：公开了一种光记录介质(1)，包括顺序形成在基板(2)的主侧上的反射层(3)、下介电层(4)、记录层(5)、上介电层(6)和透光层(7)。下介电层(4)由第一下介电层和防止第一下介电层的材料与反射层(3)的材料之间的反应的第二下介电层构成。上介电层(6)由第一上介电层和防止第一上介电层的材料与透光层(7)的材料之间的反应的第二上介电层构成。
记录介质及其制造方法

[发明专利]光记录介质及其制造方法-CN200480000265.6无效
发明人：安孙子透;池田悦郎;古市信明;高瀨史则 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-01-22 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：公开了一种光记录介质(1)，包括顺序形成在基板(2)的主侧上的反射层(3)、下介电层(4)、记录层(5)、上介电层(6)和透光层(7)。下介电层(4)由第一下介电层和防止第一下介电层的材料与反射层(3)的材料之间的反应的第二下介电层构成。上介电层(6)由第一上介电层和防止第一上介电层的材料与透光层(7)的材料之间的反应的第二上介电层构成。
记录介质及其制造方法

[发明专利]金属层下介电层测试结构-CN201010123607.0有效
发明人：胡其欣;杨莉娟;何莲群 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种金属层下介电层测试结构，包括：衬底，位于所述衬底之上的栅极结构，位于所述衬底和所述栅极结构之上的多级金属连线层，位于所述多级金属连线层间的互连通孔和层间介电层，以及位于顶层金属层之上的压焊点，所述多级金属连线层间的互连通孔未实现各金属互连线层间的电性互连。本发明提供的金属层下介电层测试结构中，各层金属连线层间的互连通孔未实现各层金属互连线层间的电性互连，因此可避免在进行测试时，当在测试结构的压焊点上施加测试电压后，以斜坡电压法测试所述顶层金属层下的介电层的性能时不会造成测试结构中有源区至第一金属层间的部分烧坏的问题
金属层下介电层测试结构

[发明专利]具有至少3层高－K介电层的模拟电容器和制造它的方法-CN200410082530.1有效
发明人：郑镛国;元皙俊;权大振;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：提供一种具有至少3层高－k介电层的模拟电容器和制造它的方法。该模拟电容器包含下电极、上电极、置于下电极与上电极之间的至少3层高－k介电层。该至少3层高－k介电层包含接触下电极的底介电层、接触上电极的顶介电层和置于底介电层与顶介电层之间的中介电层。而且，各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，VCC的二次系数的绝对值相对低的高－k介电层，中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高－k介电层。因此，由于使用至少3层高－k介电层，可以使模拟电容器的VCC特性和漏电流特性最佳。
具有至少层高介电层模拟电容器制造方法

[实用新型]低介电性胶膜-CN201520807430.4有效
发明人：杜伯贤;李韦志;金艳;林志铭 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低介电性胶膜，包括芯层、低介电胶层和离型层，芯层具有相对的上、下表面，低介电胶层具有两层且分别为上低介电胶层和下低介电胶层，上低介电胶层和下低介电胶层分别形成于所述芯层的上、下表面，离型层具有两层且分别为上离型层和下离型层，上离型层形成于上低介电胶层的表面，下离型层形成于下低介电胶层的表面。本实用新型的低介电性胶膜不但电性良好，而且可挠性佳、耐焊锡性高、接着强度佳、操作性良好，并且可以在低温进行压合，可以使用快压设备，以及压合后可使FPC有极佳的平坦性。
低介电性胶膜

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201410077737.3有效
发明人：李冠儒;江昱维 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：半导体结构包括一基板、一第一导电结构、一第二导电结构、介电结构、介电层、一第一导电插塞、及一第二导电插塞。第一导电结构位于基板上。第二导电结构位于基板上，并具有材料异于第一导电结构的一上导电部分。介电结构包括一上介电部分与一下介电部分。介电层介于上介电部分与下介电部分之间，且材料异于上介电部分与下介电部分。第一导电插塞仅穿过上介电部分、介电层与下介电部分，以物性且电性接触第一导电结构。第二导电插塞穿过上介电部分、介电层与下介电部分，以物性且电性接触第二导电结构。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]记忆体元件-CN201911347370.1在审
发明人：吴昭谊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种记忆体元件，包含介电层、下电极、内金属介电层、相变化元件和上电极。下电极位于介电层内。内金属介电层位于介电层上方。相变化元件位于内金属介电层中。上电极位于相变化元件上方，上电极至少透过一气隙与介电层分离，其中气隙不具有内金属介电层和相变化元件的材料。
记忆体元件

[发明专利]电容器及其制备方法-CN202010009965.2在审
发明人：李相遇;崔基雄;金成基 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种电容器的制备方法，其包括：形成下电极；在所述下电极上依次形成层叠设置的多个介电膜层，其中距离所述下电极最近的介电膜层和距离所述下电极最远的介电膜层均含有氮氧化铝、氮氧化锆、氮氧化铪中的至少一种；以及在所述多个介电膜层远离下电极的一侧形成上电极最靠近所述上电极的介电膜层为金属氮氧化物，最靠近所述下电极的介电材料层为金属氮氧化物，既能保证所述多个介电膜层整体的高介电系数，又能有效避免介电膜层与电极的反应，从而改善所述电容器的泄露问题。
电容器及其制备方法

[发明专利]包括低K介电层的半导体芯片-CN202010316950.0在审
发明人：李瑌真;卢晙镛;崔慜贞;韩正勋;赵允来 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了一种半导体芯片，该半导体芯片包括：器件层，位于基底上，器件层包括多个半导体器件；布线结构和下布线间介电层，均位于器件层上，下布线间介电层围绕布线结构并且具有比氧化硅的介电常数低的介电常数；上布线间介电层，布置在下布线间介电层上；隔离凹陷，沿着基底的边缘布置，隔离凹陷形成在下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面上，并且具有处于等于或低于下布线间介电层的底表面的水平的水平的底表面；以及覆盖介电层，覆盖下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面以及隔离凹陷的底表面
包括介电层半导体芯片

[发明专利]印刷电路板和制造印刷电路板的方法-CN201680027050.6有效
发明人：马库斯·迈尔 -专利权人：奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了印刷电路板，该印刷电路板包括：具有30微米至120微米之间的厚度的导电金属的芯层，将芯层夹在中间的上介电层和下介电层；布置在上介电层上方的上导电层和布置在下介电层下方的下导电层；至少一个过孔，该至少一个过孔从上导电层穿至下导电层并且至少部分地填充有上介电层和/或下介电层的介电材料；以及至少一个盲过孔，该至少一个盲过孔将上导电层与芯层连接。
印刷电路板制造方法

[发明专利]电容器结构及其制造方法-CN201510322889.X有效
发明人：车行远;薛杏岚 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明公开一种电容器结构及其制造方法，该电容器结构包括：基底、介电层、第一导体层以及杯状电容器。介电层位于基底上。第一导体层位于介电层中。杯状电容器贯穿第一导体层且位于介电层中。杯状电容器包括下电极、电容介电层以及上电极。下电极的两侧壁与第一导体层电连接。电容介电层覆盖下电极的表面。上电极覆盖电容介电层的表面。电容介电层配置在上电极与下电极之间。下电极的顶面低于上电极的顶面。
电容器结构及其制造方法

[发明专利]双极结型晶体管(BJT)及其形成方法-CN202011067688.7在审
发明人：郭俊聪;卢玠甫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：介电膜沉积在衬底上方，并且包括下介电层、上介电层以及位于下介电层和上介电层之间的中间介电层。第一半导体层沉积在介电膜上方，并且随后图案化以形成暴露介电膜的开口。穿过开口对上介电层实施第一蚀刻，以将开口延伸至中间介电层。此外，第一蚀刻停止在中间介电层上，并且横向底切第一半导体层。实施额外的蚀刻以将开口延伸至衬底。下基极结构和发射极形成为堆叠在开口中并且填充开口，并且图案化第一半导体层以形成上基极结构。本申请的实施例还涉及双极结型晶体管(BJT)。
双极结型晶体管 bjt 及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202010106310.7在审
发明人：虞济华;龚世宗;仲文君;洪翊紘 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基底、设置于基底上的电容结构以及互连结构，电容结构设置于基底上且位于电容结构区，其包括下电极板、上电极板、堆叠介电层以及中间介电层。上电极板设置于下电极板之上，且堆叠介电层设置于下电极板及上电极板之间。中间介电层设置于下电极板与上电极板之间，且中间介电层仅位于电容结构区。中间介电层的介电常数高于堆叠介电层的介电常数。互连结构包括至少一插塞与一金属叠层，互连结构位于与电容结构区相邻的连线区，且设置于中间介电层的至少一侧。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]集成电路结构-CN201110276642.0无效
发明人：法西·安托诺夫;维华纳斯·铢;诺埃尔·洛克林;克里斯·卡尔森 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路结构，其一实施例包含一半导体基板；一下介电层，设置于该半导体基板上；至少二层上介电层，设置于该下介电层上，其中该至少二层上介电层的一层为氧化铝层，另一层为氧化硅层；以及一导电层，设置于该至少二层上介电层上本发明的集成电路结构的另一实施例，包含一下电极；一下介电层，设置于该下电极上；至少二层上介电层，设置于该下介电层上，其中该至少二层上介电层的一层为氧化铝层，另一层为氧化硅层；以及一上电极，设置于该至少二层上介电层上本发明的电容值及介电漏电流等效能指标满足了存储器的发展要求。
集成电路结构

[发明专利]影像感测器及其制作方法-CN201610819519.1有效
发明人：钟志平;吴建龙;杨心怡 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该影像感测器包括一感光元件、至少一图案化导电层、至少一下介电层、至少一光学屏障层以及至少一上介电层。感光元件设置于一基底表面，图案化导电层设置于基底上，且图案化导电层包括至少一内连线，设置于感光元件的一侧。下介电层设置于基底上并覆盖内连线，光学屏障层覆盖下介电层，上介电层覆盖光学屏障层，其中光学屏障层的折射系数大于上介电层与下介电层的折射系数。
影像感测器及其制作方法

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