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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]多腔导管用腔头-CN200520110517.2无效
发明人：罗金伍 -专利权人：北京博医康技术有限责任公司
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： A61M39/00 文献下载
摘要：本实用新型多腔导管用腔头，为解决现有技术中多腔导管生产效率低的问题而发明。包括带有一个天线腔头，一个气囊腔头和一个循不水腔头的腔头本体，其中气囊腔头和循环水腔头的下端与天线腔头的下端集中成一体，气囊腔头和循环水腔头另一端各自独立于天线腔头，在所述的腔头本体上还连接有一个测温腔头采用上述结构后，由于测温腔头是连接在腔头本体上，在制造过程中则于其它腔头可一次制造而成，在整个多腔导管的制造过程中，仅需将腔头和导管一次连接即可，因此大大地增加了多腔导管的工作效率。
导管用腔头

[外观设计]硅胶模具（四腔、六腔）-CN201930554654.2有效
发明人：蔡福兴;邹先明 -专利权人：东莞市英尚硅胶制品有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： 07-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：硅胶模具（四腔、六腔）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于制作饮料或冰块的手工操作器具和用具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
硅胶模具

[发明专利]具有副腔的蚀刻腔-CN200680006002.5有效
发明人：凯尔·S·勒布伊茨;爱德华·F·欣德 -专利权人：埃克提斯公司
申请日： 2006-02-22 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C23F1/00 文献下载
摘要：在用于蚀刻半导体晶片或样品(101)的装置中，半导体晶片或样品被放置在置于第一腔室(103)内的样品支座(104)上。半导体晶片或样品与样品支座的结合体被封入第一腔室内的第二腔室(130)内。从第二腔室排出气体，并且将蚀刻气体引入第二腔室而不引入第一腔室，以蚀刻半导体晶片或样品。
具有蚀刻

[发明专利]用于将刮墨刀紧固在刮墨刀腔上的装置及装备所述装置的刮墨刀腔-CN201980029425.6有效
发明人： R·巴茨恩;P·弗勒里;J·马特兰德 -专利权人：鲍勃斯脱里昂公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： B41F31/02 文献下载
摘要：用于将刮墨刀（3）紧固（10）在刮墨刀腔（1）的本体（2）上的紧固装置（10），包括：‑至少一个夹持法兰（11），其构造成将所述刮墨刀（3）压在所述刮墨刀腔（1）的本体（2）上，‑至少一个第一紧固件（20
用于将刮墨刀紧固刮墨刀腔上装置装备刮墨刀腔

[实用新型]可变腔长的光学谐振腔光腔头-CN98201167.9无效
发明人：谢占武;康建章;赵治国 -专利权人：河北省科学院激光研究所
申请日： 1998-02-17 - 公布日： 1999-05-12 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可变腔长的光学谐振腔光腔头,它包括输出耦合镜、尾镜、腔头板等,并设有转折镜及调整机构。通过调整输出耦合镜、尾镜和转折镜的相对位置,可以实现光学谐振腔在单程腔和任意奇数折叠腔之间的方便转换,以选择输出多阶多模或低价多模的光束。本实用新型还解决了在谐振腔外部对耦合镜、尾镜、转折镜进行调整和密封的问题。
可变光学谐振腔光腔头

[发明专利]一种编织型上腔静脉覆膜支架及其制作工艺-CN202210950083.5在审
发明人：李家威;周而辰;李志刚;王国辉 -专利权人：上海玮琅医疗科技有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： A61F2/07 文献下载
摘要：本发明提供一种编织型上腔静脉覆膜支架及其制作工艺，包括编织支架和膜管，编织支架包括相互套接的外编织层和内编织层，膜管设置于外编织层和内编织层之间；在编织支架的两端伸出膜管的部分定型为喇叭口结构，在喇叭口处设有显影环安装工位设置易于被活细胞定植的膜管，可防止组织侵入的风险，阻挡肿瘤，也更加适应上腔静脉的出血性病变。
一种编织型上腔静脉支架及其制作工艺

[发明专利]一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备-CN202210844756.9在审
发明人：黄海涛 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备，上电极组件包括导电连接筒，以及与导电连接筒的底端连接的匀气盘；导电连接筒内设有中心进气通道和多个边缘进气通道；匀气盘包括中心通气孔、环绕中心通气孔设置的环形进气通道
一种电极组件工艺半导体处理设备

[发明专利]一种可适配在腔镜吻合器上的荷包组件-CN202311017712.X在审
发明人：尤俊;陈锦萍;洪清琦;洪明 -专利权人：厦门伟景医疗科技有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： A61B17/072 文献下载
摘要：本发明涉及一种可适配在腔镜吻合器上的荷包组件，包括：一组件杆，所述组件杆上可沿轴线方向来回往复移动的设有切刀部件和缝制部件；所述切刀部件和缝制部件均可形变设置；一摆角枢轴块，可摆动设置于所述组件杆末端，所述组件杆可驱动所述角枢轴块来问往复微摆动；一下钳，固设于所述摆角枢轴块上，用于夹紧组织；以及一上钳，可转动设置于所述下钳上，所述组件杆可驱动所述上钳向所述下钳转动靠拢夹紧组织。本发明可适配与腔镜下直线吻合器配合使用，又可以通过腔镜通道进行镜下荷包操作，还可以可以实现左右摆角，并在预设角度范围内任意位置锁定。
一种可适配吻合荷包组件

[发明专利]形成在单个薄片上的半导体激光器谐振腔-CN201010537705.9有效
发明人： A·A·贝法;W·兰斯 -专利权人：宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2006-08-24 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
形成单个薄片半导体激光器谐振腔

[发明专利]形成在单个薄片上的半导体激光器谐振腔-CN201010537742.X有效
发明人： A·A·贝法;W·兰斯 -专利权人：宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2006-08-24 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
形成单个薄片半导体激光器谐振腔

[发明专利]基于光频梳的片上微腔超声并行传感装置及方法-CN202110797403.3有效
发明人：肖云峰;杨起帆;孟家伟;唐水晶;劳成昊;龚旗煌 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01H9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于光频梳的片上微腔超声并行传感装置及方法，所述装置包括相干光频梳一、相干光频梳二、耦合器件、微腔阵列、合束器、光电探测器以及频谱分析仪；其中所述相干光频梳一用于提供信号光梳；所述相干光频梳二用于提供参考光梳，所述参考光梳具有与所述信号光梳不同的重频；所述耦合器件用于引导光梳传播；所述微腔阵列用于接收超声信号，并基于所述超声信号改变光梳的光强度；所述合束器用于将不同重频的光梳汇合，实现拍频处理；所述光电探测器用于接收光信号
基于光频梳片上微腔超声并行传感装置方法

[发明专利]一种片上微腔光子集成芯片结构及其制备方法-CN202111405757.5有效
发明人：董波;陈宗渝;雷亮;衣云冀;黄沃斌 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种片上微腔光子集成芯片结构及其制备方法，包括：第一波导结构、第二波导结构、反射镜、耦合透镜和基底；其中，第一波导结构和第二波导结构置于基底上，且第一波导结构和第二波导结构中涂覆反射镜的表面相对，其中，第一波导结构和第二波导结构中均包含微腔；耦合透镜置于基底上并与第一波导结构中未涂覆反射镜的表面相对。本发明提出的制备方法，将光耦合透镜与光波导微腔结构全部集成于片上结构简化了制造工艺。
一种片上微腔光子集成芯片结构及其制备方法

[发明专利]实现片上单光子源的微腔-波导耦合结构及其设计方法-CN202210102848.X有效
发明人：王雪华;李俊韬;苏榕彬;陈星宇 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现片上单光子源的微腔‑波导耦合结构及其设计方法，其中实现片上单光子源的微腔‑波导耦合结构包括衬底，所述衬底具有第一折射率；所述衬底上设置有椭圆盘和光栅，所述光栅嵌套所述椭圆盘，所述椭圆盘和光栅具有第二折射率；所述衬底上还设有第一平面波导和第二平面波导，所述第一平面波导和第二平面波导具有第二折射率，所述第一平面波导自所述光栅的长轴或短轴的第一侧插入所述光栅；所述第二平面波导自所述光栅的长轴或短轴的第二侧插入所述光栅本发明可以产生高亮度、高全同性、高纯度的高性能片上单光子源。
实现片上单光子波导耦合结构及其设计方法

[发明专利]一种片上微腔超声增敏掏空芯片及其制备方法-CN202210491756.5有效
发明人：李朝晖;钟锐峰;潘竞顺;李强 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种片上微腔超声增敏掏空芯片及其制备方法，涉及片上微腔超声探测结构设计的技术领域，从当前片上微腔超声探测芯片本身出发，沿硅衬底层的下底面向硅衬底层内部刻蚀掏空出一个腔体，降低了传统片上微腔超声探测结构对微环谐振腔的结构限制，提升了微环谐振腔扰动的自由度，增大了微环谐振腔的形变量及响应灵敏度，提高了微环谐振腔的应变能力，从而在片上微腔超声探测芯片用于超声探测时，提高了声探测灵敏度。
一种片上微腔超声掏空芯片及其制备方法

[发明专利]芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔及其制备方法-CN201310556855.8无效
发明人：姜校顺;李冠宇;杨超;刘沛;肖敏 -专利权人：南京大学
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔，包括氧化硅微盘和硅柱，氧化硅微盘通过硅柱支撑在基片上，氧化硅微盘的侧面为斜面，斜面与氧化硅微盘底面的夹角为45º~90º。本发明的芯片上的氧化硅微盘谐振腔侧壁倾角大，易于实现耦合。本发明还公开了芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔的制备方法，利用本方法制备出的片上氧化硅微盘谐振腔品质因子高，且侧壁倾角大，易于实现耦合；制备流程与传统的集成电路工艺相兼容，具有操作简单、可重复性强和易于集成等优点
芯片倾角氧化硅微盘谐振腔及其制备方法

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