“宾奥普迪克斯股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果25个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]紧凑芯片中的长半导体激光腔-CN201610091174.2在审
发明人： A·贝法尔;C·斯塔盖瑞斯库 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：紧凑芯片中的长半导体激光腔。通过使用由蚀刻面形成的全内反射(TIR)表面，长半导体激光器腔体被放置在相对较短长度的芯片里。在一个实施例中，通过使用成三个45度角的TIR表面来连接界定激光腔的四段脊波导或掩埋异质结构(BH)波导，沿着矩形半导体芯片的周边边界形成激光腔。在其他实施例中，甚至使用更多TIR表面和波导段或节段，制造矩形或四边形螺旋结构形状的更长的激光腔。这些结构被限制在邻近波导部分的间隙中，如果其中间隙太小，会引起节段之间的不被期望的耦合。但是，使用邻近部分之间的蚀刻凹槽已被证明可减少这种耦合效应。
紧凑芯片中的半导体激光

[发明专利]紧凑芯片中的长半导体激光腔-CN201180047881.7有效
发明人： A·贝法尔;C·斯塔盖瑞斯库 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：通过使用由蚀刻面形成的全内反射(TIR)表面，长半导体激光器腔体被放置在相对较短长度的芯片里。在一个实施例中，通过使用成三个45度角的TIR表面来连接界定激光腔的四段脊波导或掩埋异质结构(BH)波导，沿着矩形半导体芯片的周边边界形成激光腔。在其他实施例中，甚至使用更多TIR表面和波导段或节段，制造矩形或四边形螺旋结构形状的更长的激光腔。这些结构被限制在邻近波导部分的间隙中，如果其中间隙太小，会引起节段之间的不被期望的耦合。但是，使用邻近部分之间的蚀刻凹槽已被证明可减少这种耦合效应。
紧凑芯片中的半导体激光

[发明专利]用于制造光子器件的工艺-CN201210041732.6有效
发明人： A·A·贝法;C·B·斯塔盖瑞斯库;A·T·施雷默尔 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造光子器件的工艺，该光子器件包括外延结构，该外延结构具有有源区且包括在有源区之上但靠近有源区的湿法蚀刻停止层。通过先干法蚀刻再湿法蚀刻在该外延结构上制造端面蚀刻脊型激光器。干法蚀刻被设计成在到达形成脊所需的深度之前停止。湿法蚀刻完成脊条的形成并在湿法蚀刻停止层处停止。
用于制造光子器件工艺

[发明专利]使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器-CN201110321815.6有效
发明人： A·A·贝法;A·T·舒瑞莫;C·B·斯塔加瑞舒;万纳特亚 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器。一种用于制造能够发射蓝光的激光器的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导以及镜。
使用蚀刻技术生产基于 algainn 激光器

[发明专利]表面发射光子器件-CN201080004849.6有效
发明人： A·贝法;C·斯塔盖瑞斯库 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2010-06-11 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：一种表面反射光子器件包括：衬底；以及该衬底上的波导结构。该波导结构包括沿着其纵轴的有源区，且该有源区用于生成光。波导结构还具有在其中形成的沟槽，沟槽相对于有源区处于横向上并界定在有源区的一末端处形成倾斜端面的第一壁，第一壁具有相对于波导结构的纵轴处于不平行角度的法线。该沟槽还界定与第一壁相对而放置的第二壁。
表面发射光子器件

[发明专利]形成在单个薄片上的半导体激光器谐振腔-CN201010537705.9有效
发明人： A·A·贝法;W·兰斯 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2006-08-24 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
形成单个薄片半导体激光器谐振腔

[发明专利]形成在单个薄片上的半导体激光器谐振腔-CN201010537742.X有效
发明人： A·A·贝法;W·兰斯 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2006-08-24 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
形成单个薄片半导体激光器谐振腔

[发明专利]多腔刻蚀端面DFB激光器-CN200880106365.5有效
发明人： A·A·贝法;N·S·翁;M·格林;C·斯塔盖瑞斯库 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01S3/10 文献下载
摘要：半导体芯片具有至少两个DFB刻蚀端面激光腔，其中一组端面具有AR涂层，第二组刻蚀端面具有HR涂层，从而相对于光栅具有不同的相对位置。这可在每一个刻蚀端面和光栅之间产生相位差，光栅改变两个激光腔的工作特性，使得至少一个激光器提供可接受的性能。因此，两腔设置极大地提高了芯片制造的成品率。
刻蚀端面 dfb 激光器

[发明专利]具有聚合物光导的激光器和监测光电检测器-CN200880007029.5无效
发明人： J·J·范登伯格;N·S·翁;A·A·贝法 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2008-03-05 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种面发射激光器(100)和监测光电检测器(MPD)158安装在TO(晶体管外形封装)罐(150)中的同一平面上。来自激光器的后端面(108)的光通过聚合物光导(164)被引导至MPD。
具有聚合物激光器监测光电检测器

[发明专利]使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器-CN200680027273.9有效
发明人： A·A·贝法;A·T·舒瑞莫;C·B·斯塔加瑞舒;万纳特亚 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种用于制造能够发射蓝光的激光器的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导以及镜。
使用蚀刻技术生产基于 algainn 激光器

[发明专利]具有蚀刻停止层的端面蚀刻脊型激光器-CN200680056793.2有效
发明人： A·A·贝法;C·B·斯塔盖瑞斯库;A·T·施雷默尔 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种光子器件包括外延结构，该外延结构具有有源区且包括在有源区之上但靠近有源区的湿法蚀刻停止层。通过先干法蚀刻再湿法蚀刻在该外延结构上制造端面蚀刻脊型激光器。干法蚀刻被设计成在到达形成脊所需的深度之前停止。湿法蚀刻完成脊条的形成并在湿法蚀刻停止层处停止。
具有蚀刻停止端面激光器

[发明专利]形成在单个薄片上的半导体激光器谐振腔-CN200680039345.1有效
发明人： A·A·贝法;W·兰斯 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2006-08-24 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01S3/105 文献下载
摘要：一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为l_c、宽度为b_m的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度l_s和宽度b_s可以被选择为等于或长于波导长度l_c和台面宽度b_m的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
形成单个薄片半导体激光器谐振腔

[发明专利]具有燕尾形突脊的AlGaInN基激光器-CN200780031381.8有效
发明人： A·A·贝法 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01S3/04 文献下载
摘要：一种加工能够发射蓝光的激光器的工艺过程，其中，在CAIBE中使用500℃以上的温度和高于500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导和镜面，其中，所述激光器波导具有向内倾斜的侧壁。
具有燕尾形突脊 algainn 激光器

[发明专利]用于集成光子器件的监控光检测器-CN200680050533.4有效
发明人： A·A·贝法;M·R·格林;A·T·谢里默尔 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：在单个芯片的相应外延层上集成的激光器和检测器与芯片上的和/或外部的光学器件协作从而将激光器所发射的第一波长的光耦合到单个外部器件(比如光纤)并且同时将从外部器件接收到的不同波长的光耦合到检测器，如此提供了双向光子操作。多个激光器和检测器可以被集成在芯片上从而提供多个双向通道。在激光器一端附近的检测器外延中，制造了监控光检测器。
用于集成光子器件监控检测器

[发明专利]空间滤光片-CN200680019622.2有效
发明人： A·A·彼法;A·T·舒瑞莫 -专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种经蚀刻的刻面单横向模式半导体光子器件，它是通过在经蚀刻的刻面上沉积防反射涂层并以空间上受控制的方式沉积反射率修改涂层以修改所发射的光束的空间性能而制造的。
空间滤光

1
2
下一页»
尾页
共 25 条