[发明专利]场致电子发射材料和器件无效
| 申请号： | 99809180.4 | 申请日： | 1999-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1152405C | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | R·A·塔克;H·E·毕晓普 | 申请（专利权）人： | 可印刷发射体有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J9/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 赵国华 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种场致电子发射材料，具有一带导电表面的基底(1700)。导电表面上的电子发射点分别包括一层电绝缘材料(1703)来确定一在导电表面和绝缘层(1703)之间的第一界面区(1702)，以及一在绝缘层(1703)和真空环境之间的第二界面区。处理或生成每一第一界面区(1702)以增强电子从导电表面注入绝缘层(1703)的概率。每一第一界面区(1702)经过这种处理或生成后，要么成为一绝缘体，要么从邻近导电表面的导电性渐变为邻近绝缘层(1703)的绝缘性。 | ||
| 搜索关键词： | 致电 发射 材料 器件 | ||
【主权项】：
1.一种生成场致电子发射材料的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一具有导电表面的基底；在所述导电表面上提供多个电子发射点，所述点中每一个均包括各自的电绝缘材料层，从而在所述导电表面或其上的导电粒子与所述绝缘层之间确定一第一界面区，在所述绝缘层和该场致电子发射材料所处环境之间确定一第二界面区；处理或生成每一所述层的第一界面区来增强电子从所述导电表面注入到所述层的概率，这种处理或生成包括：在所述导电表面和绝缘层之间沉积一层材料，该材料层具有介于所述导电表面和所述绝缘层性质之间的特性；或利用后续处理中从所述第一界面区分离出来的材料对所述导电表面和/或绝缘层掺杂；或所述导电表面和绝缘层材料的反应；或将所述第一界面区生成为一具有高电学活性掺杂、高缺陷密度或中间化学组分的区域：这样，所述第一界面区经过所述处理或生成后，要么是一绝缘体，要么是从邻近所述导电表面的导电性渐变为邻近所述绝缘层的绝缘性。
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- 本发明公开了一种碳纳米管场发射阴极，其包括：导电基底；形成在导电基底上的碳纳米管；结合在所述碳纳米管表面上的硫化钼纳米颗粒。所述碳纳米管场发射阴极的制备方法包括：提供碳纳米管并通过表面处理工艺使所述碳纳米管的表面具有羧酸基团；将所述碳纳米管以及钼源、硫源和表面活性剂溶解于溶剂中，超声分散后加热反应，获得表面结合有硫化钼纳米颗粒的碳纳米管；将所述碳纳米管置于球磨罐中，加入有机溶剂和球磨助剂，球磨获得碳纳米管浆料；将所述碳纳米管浆料通过丝网印刷工艺印刷于导电基底上；对所述导电基底加热固化并进行退火处理，制备获得所述碳纳米管场发射阴极。本发明提供的碳纳米管场发射阴极能够降低开启电场并提升发射稳定性。
- 一种冷阴极及其制备方法-201811563149.5
- 魏纬 - 上海联影医疗科技股份有限公司
- 2018-12-20 - 2022-01-11 - H01J1/304
- 本发明实施例公开了一种冷阴极及其制备方法，其中，该冷阴极包括：碳纳米管和阴极基底，其中，所述阴极基底包括沿第一方向间隔设置的第一区域和第二区域，所述第一区域用于制备所述碳纳米管；所述第二区域的高度大于所述第一区域的高度。本发明实施例的技术方案，解决了现有技术中碳纳米管与阴极基底之间的结合性较差的技术问题，实现了提高接触电阻减小、导热性能增强的技术效果，以及提高了碳纳米管场致发射的稳定性，延长使用寿命的技术效果。
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