专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种全频带无反射滤波功分器-CN202310915697.4在审
  • 吴钢雄;吴昊;施金;姜芮芮;张威;秦伟 - 南通大学
  • 2023-07-25 - 2023-10-27 - H01P5/16
  • 本发明涉及微波射频通信技术领域,具体涉及一种全频带无反射滤波功分器。本发明包括第一T型网络、第二T型网络、吸收‑隔离复合网络、输入端口P1、第一输出端口P2及第二输出端口P3;第一T型网络的第一端与第一输出端口P2的一端连接;第一T型网络的第二端与输入端口P1的一端连接;第二T型网络的第一端与第二输出端口P3的一端连接;第二T型网络的第二端与输入端口P1的一端连接;吸收‑隔离复合网络的两端分别与第一T型网络的第三端、第二T型网络的第三端连接;本发明关于输入端口P1为水平中轴线对称设置。本发明有效地减小了电路尺寸,兼顾宽带宽、高频选特性、高带外抑制等特点,提升了射频前端的通信性能以及通信系统的稳定性。
  • 一种频带反射滤波功分器
  • [发明专利]一种宽阻带吸收型滤波功分器-CN202310924661.2在审
  • 吴钢雄;吴昊;施金;姜芮芮;张威;秦伟 - 南通大学
  • 2023-07-26 - 2023-09-29 - H01P5/18
  • 本发明涉及微波通信技术领域,具体涉及一种宽阻带吸收型滤波功分器。本发明由第一电阻Re1、第二微带线TL2、第三微带线TL3、接地结构G1及第二电阻Re2,构成闭合的T型网络结构,实现了隔离‑吸收电路的高度融合,不用加载额外的吸收支路便能形成良好的吸收和隔离性能。本发明通过在底层金属层M2刻蚀两组π型缺陷地结构组,不仅结构简单紧凑,易于加工,还实现了宽阻带的特性。本发明实现了宽阻带吸收型滤波功分器性能,并且结构简单、紧凑,易于集成化、小型化,同时实现全频带吸收和高隔离度,宽隔离范围,良好吸收效果,高带外抑制和良好通带等优良性能。
  • 一种宽阻带吸收滤波功分器
  • [发明专利]一种基于差分的白光无透镜单帧弱共轭重构方法-CN202310805778.9在审
  • 张佳琳;杨永杰;王振国;刘畅;姜芮芮 - 南通大学
  • 2023-07-03 - 2023-09-29 - G02B21/36
  • 本发明提供了一种基于差分的白光无透镜单帧弱共轭重构方法,在白光无透镜成像系统中无需使用额外元件以及复杂的算法,就可实现减弱共轭像以及提高单帧成像分辨率。包括:步骤一:利用光谱仪获得系统光源的光谱分布信息,并进行差分处理获得重构波长;步骤二:利用全息图减平均值法对采集的单帧图像进行预处理;步骤三:利用角谱传播公式生成不同离焦面的光强图,并基于清晰度判别因子确定离焦距离范围;步骤四:基于数值差分,计算步骤三中获得的距离范围内不同焦面上的差分分布,择优获得最终结果。本发明可以降低传统无透镜显微镜中光源谱宽的要求,有效降低系统的成本。在单帧图像采集情况下,提高了白光无透镜显微镜成像分辨率、减弱共轭像。
  • 一种基于白光透镜单帧弱共轭方法
  • [发明专利]一种可改善电子束聚焦性能的场发射冷阴极电子枪-CN202310692793.7在审
  • 姜芮芮;施金;吴钢雄;郁梅;梁图禄;刘畅;张佳琳 - 南通大学
  • 2023-06-12 - 2023-09-29 - H01J1/304
  • 本发明公开了一种可改善电子束聚焦性能的场发射冷阴极电子枪,属于真空电子器件技术领域。解决现有冷阴极电子枪难以聚束的缺陷,本发明的阴极包括阴极底座和冷阴极发射体,阴极底座开设凹槽,冷阴极发射体嵌入凹槽的内部,凹槽的内壁与冷阴极发射体的外壁贴合紧密,保证良好的电接触和增加结构的稳固性,调整冷阴极发射体的相对位置,改变电子枪内部的电场分布,阴极发射的电子束边缘的电子轨迹发散角明显减小,电子束聚焦性能极大提升;本发明场发射冷阴极电子枪应用于微波射频器件,不需要额外增加聚焦结构,在不影响器件射频性能的前提下有效改善射频激励电子枪的聚焦性能。
  • 一种改善电子束聚焦性能发射阴极电子枪
  • [发明专利]一种基于多层级特征融合的深度图快速编码方法-CN202310284323.7在审
  • 刘畅;白鹤鸣;姜芮芮;张佳琳;王振国 - 南通大学
  • 2023-03-22 - 2023-06-02 - H04N13/161
  • 本发明提供了一种基于多层级特征融合的深度图快速编码方法,属于3D‑HEVC的三维视频编码技术领域。解决了目前3D‑HEVC中深度图帧内编码单元结构预测复杂度高的技术问题。其技术方案为:包括以下步骤:步骤一、分析编码单元层级特征纹理复杂度和量化参数与编码单元结构之间的关系;步骤二、构建面向编码单元结构快速决策的多层级特征融合网络模型(MLFF‑CNN);步骤三、将MLFF‑CNN模型嵌入到3D‑HEVC的测试平台HTM‑16.0;步骤四、制定基于多层级特征融合的深度图帧内编码单元结构快速决策方法流程图。本发明的有益效果为:本发明在不影响合成视点质量的前提下,可降低37.4%的编码复杂度。
  • 一种基于多层特征融合深度快速编码方法
  • [发明专利]采用射频激励场发射电子束的冷阴极电子枪-CN201910567793.8有效
  • 曾葆青;姜芮芮;陈福东;柳建龙;吴喆;陈涛;柴璇 - 电子科技大学
  • 2019-06-27 - 2020-09-25 - H01J3/02
  • 该发明属于一种采用射频激励场发射产生电子束的冷阴极电子枪。包括阴极腔体及座体,内导体及其阴极头、设于阴极头上的电子发射层,聚焦极、阳极及对应的支撑环、电源接头,上、下壳体,密封板,射频输入端口;该发明利用四分之一波长同轴谐振腔对电场的增强作用,通过谐振腔在阴极发射面上激励均匀的强电磁场,并利用电场均匀的内导体端面/阴极头发射面区域实现场致发射。该发明适用范围宽,可在真空度高于10‑3Pa环境中工作,在输入百瓦量级射频功率时就能在阴极发射面产生107V/m以上的电场强度。因而,具有结构及生产工艺简单、体积小、使用寿命长,易于实现工业化生产,以及可广泛应用于发射电流大的真空电子器件且安全、可靠性高等特点。
  • 采用射频激励发射电子束阴极电子枪

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