专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种绝热模式演化器的设计方法-CN202210020009.3有效
  • 梁图禄;荣巍巍;郁梅 - 南通大学
  • 2022-01-10 - 2023-10-13 - G02B27/00
  • 本发明公开了一种绝热模式演化器的设计方法,先确定其中一个脊波导结构的顶层硅宽wR,然后找另一个脊波导结构的顶层硅宽wL的最佳值,具体通过依次改变wL的值,计算最小反射率,并找到准确的wL值。绝热模式演化器在垂直方向上分成顶层硅宽度变化部分和中部硅宽度变化部分,在水平方向上,对于顶层硅宽度变化部分Δw,初始波导宽度与最终波导宽度通过长度为L的直线相演化;对于中部硅宽度变化部分ΔW,初始波导宽度与最终波导宽度通过长度为L的直线相演化。通过本方法设计得到的器件更为紧凑,其结构简单、尺寸小、带宽大。这种紧凑的绝热模式演化器构成了光子集成电路的关键组件。
  • 一种绝热模式演化设计方法
  • [发明专利]一种可改善电子束聚焦性能的场发射冷阴极电子枪-CN202310692793.7在审
  • 姜芮芮;施金;吴钢雄;郁梅;梁图禄;刘畅;张佳琳 - 南通大学
  • 2023-06-12 - 2023-09-29 - H01J1/304
  • 本发明公开了一种可改善电子束聚焦性能的场发射冷阴极电子枪,属于真空电子器件技术领域。解决现有冷阴极电子枪难以聚束的缺陷,本发明的阴极包括阴极底座和冷阴极发射体,阴极底座开设凹槽,冷阴极发射体嵌入凹槽的内部,凹槽的内壁与冷阴极发射体的外壁贴合紧密,保证良好的电接触和增加结构的稳固性,调整冷阴极发射体的相对位置,改变电子枪内部的电场分布,阴极发射的电子束边缘的电子轨迹发散角明显减小,电子束聚焦性能极大提升;本发明场发射冷阴极电子枪应用于微波射频器件,不需要额外增加聚焦结构,在不影响器件射频性能的前提下有效改善射频激励电子枪的聚焦性能。
  • 一种改善电子束聚焦性能发射阴极电子枪
  • [发明专利]一种绝热导波系统-CN202210172840.0有效
  • 梁图禄;荣巍巍;郁梅;吴钢雄 - 南通大学
  • 2022-02-24 - 2023-09-29 - G02B6/02
  • 本发明公开了一种绝热导波系统,包括构成绝热导波结构的芯和包层;在垂直光束传播方向上,将芯从上而下划分为顶层、中层以及底层,顶层厚h1,中层厚h2,底层硅厚h3;在光束传播方向上,从输入端到输出端,将芯划分成a~e共五段,a段的顶层和中层的宽均为wL;b段的顶层宽从wL缩小到wR,中层宽从wL增大到W1;c段的顶层宽保持wR不变,中层宽从W1增大到W2;d段的顶层宽保持wR不变,中层宽从W2增大到WR;e段的顶层宽保持wR不变,中层宽保持WR不变。本发明的绝热导波系统可以获得很宽的工作带宽,且获得的结构尺寸小、结构简单。
  • 一种绝热导波系统
  • [发明专利]一种绝热模式耦合器-CN202310817079.6在审
  • 荣巍巍;梁图禄;廖上桂;李明娜 - 南通大学
  • 2023-07-05 - 2023-09-22 - G02B6/122
  • 本发明属于集成光电子技术领域,具体涉及一种绝热模式耦合器。本发明包括硅芯和包层,硅芯包括平板硅、第一硅脊以及第二硅基;平板硅上端分别设置第一硅脊与第二硅基;包层从下往上依次为起支撑作用的硅衬底、二氧化硅下包层、上包层;硅衬底连接二氧化硅下包层;二氧化硅下包层连接平板硅;平板硅、第一硅脊以及第二硅基均连接上包层。本发明解决目前绝热模式耦合器“尺寸大、集成度低”的问题,本发明旨在提出一种尺寸小、损耗低、传输效率高、结构简单、易加工的绝热模式耦合器。
  • 一种绝热模式耦合器
  • [发明专利]一种光通信系统中绝热模式转换器的优化设计方法-CN202310456406.X在审
  • 荣巍巍;梁图禄;覃敏妮;贾云霞 - 南通大学
  • 2023-04-25 - 2023-07-25 - G02B27/00
  • 本发明涉及集成光电子技术领域,尤其涉及一种光通信系统中绝热模式转换器的优化设计方法。解决了目前绝热模式转换器设计复杂、不易于使用等缺点。其技术方案为:一种光通信系统中绝热模式转换器的优化设计方法,包括:步骤1:确定波导输入端宽度WI和输出端宽度WF;步骤2:对要设计的器件结构进行非均匀分段;步骤3:求出各个片段的长度Li;步骤4:构造各个片段,然后将所有的片段拼接重组构成完整的波导形状。步骤5:获得整个结构的模式转换效率曲线,步骤6:选择需要使用的器件长度。本发明的有益效果为:本发明设计出的器件尺寸小、易使用的优点。
  • 一种光通信系统绝热模式转换器优化设计方法
  • [发明专利]一种适用于TM0-CN202211347461.7在审
  • 梁图禄;荣巍巍 - 南通大学
  • 2022-10-31 - 2023-07-25 - G02B6/14
  • 本发明公开了一种适用于TM0和TE3模式转换的绝热模式转换器,包括硅芯和包层;硅芯为脊波导结构,由底部硅芯和顶部硅芯构成;沿光束传播方向,底部硅芯的宽度保持不变;顶部硅芯的输入端和输出端分别为平行板波导,输入端的宽度1.60μmWL3.27μm,输出端的宽度WR3.60μm;沿光束传播方向,输入端和输出端之间的顶部硅芯由片段a~片段y共25个连续的片段构成;本发明的绝热模式转换器基于沿模式传播方向的均衡模式转换功率损耗来选择各个片段的长度,通过这样的布置实现高效紧凑的绝热模式转换器。
  • 一种适用于tmbasesub
  • [发明专利]一种偏移绝热导波系统-CN202210546766.4有效
  • 梁图禄;荣巍巍;周沁蓓;陆芊杏 - 南通大学
  • 2022-05-18 - 2023-07-18 - G02B6/12
  • 本发明公开了一种偏移绝热导波系统,包括芯硅和包层。在垂直光束传播方向上,将所述芯硅从上而下划分为顶层、中层以及底层,顶层厚h1,中层厚h2,底层硅厚h3;在光束传播方向上,从输入端到输出端,将芯硅划分成两端段,第一段的顶层的上边界是直线段,下边界为斜线段,第一段的顶层宽从wL缩小到wR,中层宽保持wL不变;第二段的顶层宽保持wR不变,中层的上下边界为对称的斜线段,第二段的中层宽从wL逐渐增大到WR。本发明采用了数值化的思想,将需要设计的结构在光波传播方向上分成了若干片段,对每一片段分别进行设计,获得偏移绝热导波结构的数值化结果,大幅缩短整个结构的长度,实现光子集成芯片更高集成度的目标。
  • 一种偏移绝热导波系统
  • [发明专利]一种绝热模式连接器的高效设计方法-CN202111517325.3有效
  • 梁图禄;荣巍巍;吴钢雄 - 南通大学
  • 2021-12-09 - 2023-07-04 - G02B6/12
  • 本发明提出了一种绝热模式连接器的高效设计方法,属于绝热模式连接器技术领域。其技术方案为:该设计方法包括以下步骤:步骤1:两个脊波导中的最佳波导宽度w的确定;步骤2:设计及分段;步骤3:对每一段进行单独扫描,得到模式输入和模式输出的传输曲线,使用EME求解器扫描每个片段的长度,获得的各个片段的长度;步骤4:拼接各个片段形成完整的波导形状;步骤5:扫描完整波导的总长度,以获得完整绝热模式连接器的传输曲线;步骤6:根据应用需求,选择要使用的器件长度。本发明的有益效果为:本发明提出了一种绝热模式连接器的高效设计方法,设计简单,并且设计出的绝热模式连接器尺寸小、结构简单、带宽大、易加工。
  • 一种绝热模式连接器高效设计方法

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