[发明专利]非易失存储装置及退化检测方法

权利要求书

1、一种非易失存储装置，包含：

电可写的第一非易失存储器件；

其特征在于还包含：

电可写且与第一非易失存储器件性能基本相同的第二非易失存储器件；

存储控制器，用于控制第二非易失存储器件的写/读操作，从而每次在第一非易失存储器件中进行写操作时将一预定值写入第二非易失存储器件；及

一比较器，用于将存储在第二非易失存储器件中的值与预定值进行比较。

2、根据权利要求1所述的非易失存储装置，其特征在于通过第一写操作将数据写到第一非易失存储器件，并通过第二写操作将一预定值写到第二非易失存储器件，其中第一和第二写操作包括在一预定时间周期中被顺序设置的一删除相和一写相。

3、根据权利要求2所述的非易失存储装置，其特征在于第二写操作的写相位的时间周期比第一写操作的短。

4、根据权利要求3所述的非易失存储装置，其特征在于第二写操作的删除相位的时间周期比第一写操作的长。

5、根据权利要求2所述的非易失存储装置，其特征在于第二写操作的写相位的时间周期与第一写操作的相同。

6、根据权利要求1所述的非易失存储装置，其特征在于存储控制器在第一非易失存储器件中执行写操作之前执行一预定次数的第二非易失存储器件的写操作。

7、一种非易失存储装置，包含：

第一存储单元阵列，其包括一预定数目的单元存储块，每个单元存储块包括多个每个都电可写的第一非易失存储单元；及

第一存储控制器，其用于控制第一存储单元阵列的指定单元存储块的写/读操作；

其特征在于包含：

第二存储单元阵列，其包括预定数目的第二非易失存储单元，每个第二非易失存储单元都是电可写的且与第一非易失存储单元性能基本相同，其中第二非易失存储单元分别对应于各个单元存储块。

第二存储控制器，用于控制与指定单元存储块对应的第二非易失存储单元的写/读操作，从而，每次在指定单元存储块中进行写操作时将一预定值写到第二非易失存储单元之中；及

一比较器，用于将存储在第二非易失存储单元中的值与预定值进行比较。

8、根据权利要求7所述的非易失存储装置，其特征在于：

通过第一存储控制器控制从而通过第一写操作将数据写入指定的单元存储块；及

通过第二存储器控制从而通过第二写操作将预定值写入第二非易失存储单元之中；

其中第一和第二写操作包括在预定时间周期中顺序设置的删除相及写相位。

9、根据权利要求8所述的非易失存储装置，其特征在于第二写操作的写相位的时间周期比第一写操作的短。

10、根据权利要求9所述的非易失存储装置，其特征在于第二写操作的删除相位的时间周期比第一写操作的长。

11、根据权利要求8所述的非易失存储装置，其特征在于第二写操作的写相位的时间周期与第一写操作的相同。

12、根据权利要求7所述的非易失存储装置，其特征在于还包含：

第三存储控制器，其在第一存储单元阵列中执行写操作前执行一预定次数的第二存储单元阵列的写操作。

13、根据权利要求12所述的非易失存储装置，其特征在于还包含：

一开关，其在第一存储单元阵列中执行一写操作前执行一预定次数的第二存储单元的写操作时用于在第三存储控制器的控制下将第二存储单元阵列与第一存储单元阵列电隔离。

14、一种用于检测电可写的第一非易失存储器件的退化状态的方法，其特征在于包含如下步骤：

执行第二非易失存储器件的写/读操作，其中第二非易失存储器件电可写且与第一非易失存储器件性能基本相同，从而每次在第一非易失存储器件中进行写操作时将一预定值写到第二非易失存储器件；

确定存入第二非易失存储器件中的值是否与预定值相符；及

当存入第二非易失存储器件中的值与预定值不相符时，检测第一非易失存储器件的退化状态。