[发明专利]提高铅系弛豫铁电陶瓷机电性能的工艺无效

申请号：	91100005.4	申请日：	1991-01-05
公开（公告）号：	CN1027534C	公开（公告）日：	1995-02-01
发明（设计）人：	张孝文;桂治轮;李龙土;王强	申请（专利权）人：	清华大学
主分类号：	C04B35/46	分类号：	C04B35/46
代理公司：	清华大学专利事务所	代理人：	王兵
地址：	10008***	国省代码：	北京;11
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摘要：	一种提高铅系弛豫铁电陶瓷机电性能的工艺，属于电容器陶瓷及其制造领域。本发明的要点是按照传统方法烧成铅系弛豫铁电陶瓷样品后在空气中急冷至室温，或者在空气中急冷至室温后再在300℃～700℃范围内退火20～200小时。采用此工艺可以大幅度提高材料的力学强度和抗电击穿场强，本发明提供了一种低温烧结和高性能兼优的适于制作多层陶瓷电容器的介质材料。
搜索关键词：	提高铅系弛豫铁电陶瓷机电性能工艺
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【主权项】：

1.一种提高铅系弛豫铁电陶瓷机电性能的工艺，配方组成为：Pbx(B1m/3B2b/3)y(B1c/3B2b/3)z(B1c/2B1f1/2)uTiwO3+q1MnO2+q2pb3O4其中X＝1.0y+z+u+w＝1.0Y＞0，W＞0，u≥o，Z≥0，o≤q1≤0.4Wt％，o≤q2≤3Wt％Ba、Bc为Mg2+、Zn2+、Ni2+、Cd2+二价离子中的一种，Bb、Bd为Nb5+Be为Cd2+、Mg2+、Fe3+离子中的一种，Bf为W6+、Nb5+离子中的一种，所用原料为普通化工原料，Pb3O4，Nb2O5，Mg(OH)2，4MgCO3·6H2O，ZnO，Fe2O3，WO3，CdCO3，NiO和TiO2。按上述配方配料，先把BaO、BcO、Be分别与B2bO5、B2bO5、B2fO5、混合磨细，烘干过筛，在1000℃下预烧合成为BaB2bO6、BeB2bO6和BeB2fO6、熔块，将该熔块磨细后与PbO、TiO2混合磨细，烘干过筛，在700℃～800℃下预烧，磨细后过筛，获得钙钛矿型的Pb(B1a/3B2b/3)-PbTiO3、Pb(B1c/3B2b/3)-PbTiO3和Pb(B1c/2B1f/2)O3的瓷料，干压成型为样品，其特征在于在900℃～940℃下烧成，保温2～4小时，烧成后急冷至室温。

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摘要：本申请属于陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种5G微波介质陶瓷材料及其制备方法，以及一种微波介质陶瓷器件。其中，所述5G微波介质陶瓷材料的原料组分包括：(1‑x)MgTiO3‑xCaTiO3复合粉料和(1‑y)Li2TiO3‑yZnO复合粉料；其中，x为0.04～0.07，y为0～0.95。通过两种复合粉料的复配，降低了5G微波介质陶瓷材料的烧结温度，降低了烧结成本，使得陶瓷材料烧结更致密，提高陶瓷材料成瓷器件强度，提升材料产品器件的可靠性与稳定性，降低了陶瓷材料的成瓷密度，拓宽了陶瓷材料的介电常数，有利于微波介质波导陶瓷结构设计及尺寸布局，并降低了陶瓷材料的高低温频偏值极限值，有利于实现近零温漂。

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摘要：本发明公开了一种陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明的陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：1)将陶瓷原料、乙醇和锆球混合进行球磨，烘干，得到混合粉体；2)将混合粉体烧结，得到前驱粉体；3)将前驱粉体、水和锆球混合进行球磨，再加入粘结剂后进行喷雾造粒，得到造粒粉体；4)将造粒粉体压制成生瓷片，再进行烧结，即得陶瓷材料。本发明的陶瓷材料具有电性能优异、介电常数适宜、晶粒尺寸均匀、绝缘性能好、击穿强度大、原料廉价易得等优点，且其制备方法简单、效率高、安全环保，适合进行工业化大规模生产。

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摘要：本公开提供了一种介电陶瓷组合物及其制造方法和多层陶瓷电容器。所述介电陶瓷组合物包括：包含由Ba(Ti(1‑2x)RxWx)O3表示的基体材料的成分，其中，R是Mn和/或Mg，并且x满足0.06≤x≤0.10。所述介电陶瓷组合物在从25℃到200℃的宽温度范围内具有优异的温度特性和低DC偏置依赖性。

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摘要：本发明涉及一种滤波器材料，特别涉及一种5G陶瓷滤波器材料、其低温烧结方法及应用，属于陶瓷材料技术领域。一种5G陶瓷滤波器材料的低温烧结方法，该方法包括如下步骤：S1、根据陶瓷材料的化学计量比进行原料的配料；S2、将所述原料混合后进行高能球磨处理，得到陶瓷粉体；所述高能球磨为采用碳化钨磨罐及磨球的干磨工艺，所述的磨球是4‑6毫米直径的磨球、8‑10毫米直径的磨球中的一种或两种组合，球：料重量比为20∶1～80∶1；S3、将步骤S2得到的陶瓷粉体干压成型，制成圆片，在1000～1300℃的温度下烧结，保温时间为1～12h，得到产品。

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摘要：本发明涉及一种低电阻老化率PTC陶瓷材料及其制备方法。所述低电阻老化率PTC陶瓷材料包含：主相和第二相两部分；其中，主相的化学式为BaaPbbMcXdTieO3，其中M为Nb、Y、La中的至少一种，X为Mn、Cu、Fe中的至少一种，a＝0.6～0.9，b＝0.1～0.4，c＝0.003～0.006，d＝0.00005～0.0002，e＝1.0～1.02，且a+b＝1；其中，第二相包含CaTiO3、Al2O3、SiO2、RfCO3和BN，其中R为Mn、Cu、Fe中的至少一种，f＝1～2。

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摘要：本发明公开了一种新型热敏电阻材料及其制备方法，属于热敏材料技术领域。该制备方法包括以下步骤：S01，取BaCO3和TiO2粉末混合，球磨，加入助剂，干燥，烧结；S02，取Na2CO3、Bi2O3和TiO2粉末混合，球磨，加入助剂，干燥，烧结；S03，取S01和S02得到的产物，球磨，加入助剂，干燥，与PVA混合、造粒，压制成型，烧结。本发明的新型热敏电阻材料，电学性能优良，可以应用于热敏电阻。本发明的新型热敏电阻材料的制备方法，以活性炭为分散介质，既发挥了分散的作用，又在烧结过程中氧化为二氧化碳，没有残留，不会影响得到的产品的性能。

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摘要：本发明提供了一种无铅铁电陶瓷材料，无铅铁电陶瓷材料的结构为ABO3型，且无铅铁电陶瓷材料的化学式为(1‑x)BaTiO3‑xCaTiO3:0.003Pr3+，0.1≤x≤0.3，本发明还提供了上述无铅铁电陶瓷材料的制备方法，与现有技术相比，本发明得到的复合陶瓷致密度高，具有较优异的铁电性、光刺激发光以及热释光等性能，最终得到的多功能复合陶瓷集铁电、压电性能和多模态发光特性为一体，为制备新型的铁电/发光复合陶瓷材料提供借鉴和指导，并开拓铁电材料在发光显示等光学领域的应用。

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摘要：一种基于A位缺陷的低损耗高能量转换效率的钛酸钡基无铅储能陶瓷材料及其制备方法，本发明属于无铅介电陶瓷材料领域，具体涉及一种基于A位缺陷的低损耗高能量转换效率的钛酸钡基无铅储能陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有无铅储能陶瓷材料介电损耗高、储能转换效率低的技术问题。本发明陶瓷材料化学式为(1‑x)Ba0.94Me0.04TiO3‑xBi1.05(Ni2/3Ta1/3)O3，其中Me为Ce4+、La3+、Nd3+或Sm3+，其中x表示摩尔分数，0.05≤x≤0.35。本发明制备的陶瓷材料获得了非常低的介电损耗tanδ0.002和非常高的能量转换效率η95％。所制备的钛酸钡基材料可应用于电介质储能领域。

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申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C04B35/462
摘要：本发明公开了一种温度稳定型钛酸盐微波介质复合陶瓷及其制备方法，该复合陶瓷物相包括单斜结构的Li2TiO3相和立方结构的Mg2TiO4相，其中Li2TiO3含量为80.0wt％～96.0wt％，其余为Mg2TiO4。本发明通过在材料制备过程中控制原材料Li2CO3、MgO及TiO2之间的比例来调控Li2TiO3相与Mg2TiO4相含量的组成，获得了具有良好微波介电性能的温度稳定型钛酸盐微波介质复合陶瓷，其谐振频率温度系数为‑1.23～+8.25ppm/℃，品质因数为79790～102020GHz，介电常数为19.8～21.7；本发明制备的陶瓷材料在保持了高品质因数值的同时克服了纯相钛酸盐微波介质陶瓷谐振频率偏大，稳定性不足的缺点。

织构化微波介质陶瓷材料及其制备方法、通信器件-202310763309.5
发明人：陆正武;钟志波;袁亮亮 -专利权人：大富科技（安徽）股份有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/465
摘要：本申请属于陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种织构化微波介质陶瓷材料及其制备方法、通信器件。其中，织构化微波介质陶瓷材料的制备方法，包括步骤：采用熔盐法制备(Mg1‑xCax)TiO3陶瓷片状模板籽晶，其中，0＜x＜1；采用高温固态合成法制备(Mg1‑yCay)TiO3陶瓷粉末，其中，0＜y＜1；将陶瓷片状模板籽晶与陶瓷粉末混合后制成陶瓷生坯，烧结处理，陶瓷粉末在模板籽晶的片状方向上进行取向择优生长，使得微波介质陶瓷材料具有织构化结构。热量在这些择优取向上能够快速传导，从而显著提升织构化微波介质陶瓷材料的热导率，使得陶瓷材料同时具有高热导率、低介电常数、高品质因数和谐振频率温度系数近零等特性。

稀土改性钛酸铋钠基电容器储能材料及制备方法-202310702407.8
发明人：葛文伟;武晨;邱小明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/462
摘要：本发明属于电介质储能材料技术领域，具体为稀土改性钛酸铋钠基电容器储能材料及制备方法，包括碳酸钠、氧化铋、氧化钛、碳酸锶、氧化Re(Re为La,Nd,Sm,Eu,Dy)和氧化铌照配方具体搭配比例制备而成。其中，碳酸钠的摩尔分数范围为(0.14～0.20)；氧化铋的摩尔分数范围为(0.14～0.20)；氧化钛的摩尔分数范围为(0.8～0.98)；碳酸锶的摩尔分数范围为(0.16～0.30)；氧化Re的摩尔分数范围为(0.01～0.10)；氧化铌的摩尔分数范围为(0.01～0.10)，其结构合理，能够有效地抑制氧空位的产生，提高了陶瓷的击穿强度，强化弛豫铁电特征，从而降低极化强度随电场变化的滞后，提高储能效率。

一种高Q值Li6-202310528910.6
发明人：刘奎;张岱南;刘浩天;雷奕达;李颉;刘成;廖宇龙;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/462
摘要：本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，具体提供一种高Q值Li6Zn7Ti11O32基微波介质陶瓷材料及其制备方法，用以优化Li6Zn7Ti11O32微波介质陶瓷的微波介电性能、尤其品质因数Q×f。本发明中微波介质陶瓷材料的化学通式为：Li(1+x)6Zn7Ti11‑x(Li1/4Nb3/4)xO32、0.00x≤0.05，其一、采用添加过量锂来抑制锂挥发，其二、采用Li1/4Nb3/4复合离子取代Ti离子来改善四价钛离子被还原成三价钛离子的问题，最终有效优化材料的介电性能、尤其是品质因数Q×f；同时，其制备工艺简单，并且原料丰富、成本低廉、密度较小，有利于工业化应用，可作为天线、介质谐振器、滤波器、微带线等电子器件基板材料，在微波通信、雷达系统、卫星通信等领域具有重要应用前景。

一种铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法和应用-202311061130.1
发明人：许嘉赓;谢少雄;王清远 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C04B35/462
摘要：本发明公开了一种铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及一种电陶瓷材料领域，一种铋层状结构压电陶瓷材料，该压电陶瓷材料由化学计量通式CaBi4Ti4‑x(Nb2/3Mn1/3)xO15表示。本发明利用Nb离子和Mn离子取代CBT陶瓷晶格中Ti离子的方式，成功地实现了B位的离子掺杂，Nb离子作为施主型掺杂剂，提供额外的电子，改变了载流子浓度，调节了铁电性能，Mn离子掺入产生的氧空位与本征氧空位结合成欠配位键合缺陷，减小了可移动氧空位的浓度，在上述原理的基础上，限制了压电陶瓷材料中Nb离子、Mn离子和Ti离子的摩尔比关系，提高了CBT陶瓷的绝缘性，抑制了高温漏电流的产生。

一种减反膜用镀膜材料、制备方法及其应用-202310632711.X
发明人：段华英;张恒;孙静;彭程;石志霞;张碧田;王星明;储茂友 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C04B35/46
摘要：本发明提供了一种减反膜用镀膜材料、制备方法及其应用，涉及光学镀膜材料技术领域，所述制备方法包括：步骤1：将二氧化钛粉体、氧化铝粉体和钛粉混合后进行球磨，得到分散均匀的混合粉体；步骤2：对所述混合粉体进行冷等静压成型，得到坯体；步骤3：对所述坯体进行真空分段控温烧结，烧结后自然冷却，得到所述镀膜材料；所述镀膜材料的相结构包含Ti3O5\Al2O3\TiO2相。本发明通过在TiO2粉体中添加一定比例的Ti粉体和Al2O3粉体，再通过球磨、冷等静压成型、烧结的工艺，得到一种减反膜用复合钛铝氧化物镀膜材料，得到的具有Ti3O5\Al2O3\TiO2相结构的镀膜材料不仅改善了纯TiO2薄膜的光学性能，还兼顾了基材的热物理性能以及湿气防护性能。

一种钛酸铋钠基高储能性能陶瓷电容器及制备方法-202310629429.6
发明人：娄晓杰;康瑞瑞 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C04B35/462
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠基高储能性能陶瓷电容器及制备方法，该陶瓷电容器的陶瓷材料化学组成式为[(Bi0.5Na0.5)1‑xSrx]1‑3y/2MyTiO3，属ABO3型钙钛矿结构；x＝0‑0.5，y＝0.02‑0.2；M为掺杂元素且占据钙钛矿结构的A位，M为La及La系稀土元素。本发明通过在钛酸铋钠基陶瓷体系中引入掺杂离子来提高储能性能的同时，并采用两步烧结法优化了击穿场强，最终获得综合储能性能优异的陶瓷电容器；大幅提高了储能性能及温度稳定性，且制备过程简单，成本低廉，适合工业化大批量生产，可广泛应用于脉冲电子功率器件中。

介电陶瓷组合物和具有其的多层陶瓷电子组件-202010325069.7
发明人：尹硕晛;南灿熙;全松济;崔畅学 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C04B35/468
摘要：本公开提供一种介电陶瓷组合物，所述介电陶瓷组合物包括钛酸钡的基体材料主成分和副成分。烧结之后的所述介电陶瓷组合物的微观结构包括具有小于3.5at％的Ca含量的第一晶粒和具有3.5at％至13.5at％的Ca含量的第二晶粒，并且所述第二晶粒的面积与全部晶粒的面积的比为70％至95％。

5G微波介质陶瓷材料及其制备方法、高频通信器件-202310671295.4
发明人：陆正武;袁亮亮;陈薛爱 -专利权人：大富科技（安徽）股份有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/465
摘要：本申请属于陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种5G微波介质陶瓷材料及其制备方法，以及一种高频通信器件。其中，5G微波介质陶瓷材料的原料组分包括：第一陶瓷材料和第二陶瓷材料，第一陶瓷材料包括(Mg1‑xCax)TiO3，0＜x＜1，第二陶瓷材料包括ZrMgMo3O12。其中，ZrMgMo3O12为负线热膨胀系数材料，对第一陶瓷材料的线热膨胀系数有更好的调节作用。通过第一陶瓷材料和第二陶瓷材料的复配作用，使得5G微波介质陶瓷材料同时具备低介电常数、高品质因数和线热膨胀系数近零，实现高低温(‑40～110℃)状态下谐振频率偏离量近零，可满足介电性能要求较高的介质滤波器、介质谐振器等高频通信产品使用要求。

专利分类

C 化学；冶金

C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷
C04B35-00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物
C04B35-01 .以氧化物为基料的
C04B35-50 .以稀土化合物为基料的
C04B35-51 .以锕系化合物为基料的
C04B35-515 .以非氧化物为基料的
C04B35-622 .形成工艺；准备制造陶瓷产品的无机化合物的加工粉末

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[发明专利]提高铅系弛豫铁电陶瓷机电性能的工艺无效

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