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[发明专利]一种基于前驱体预烧法制备的高容多层BME瓷介电容器及制作方法-CN202310929619.X在审
发明人：罗培福;洪志超;周永昌;陈本夏;宋运雄;陈永虹;林志盛 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：一种基于前驱体预烧法制备的高容多层BME瓷介电容器及制作方法，高容多层BME瓷介电容器，由介电层相互叠加烧制而成，介电层包括介质层和印刷在介质层上的内电极，介质层是基于100重量份的前驱体混合掺杂剂制成；掺杂剂包括以下原料；氧化镁、碳酸锰、五氧化二钒、稀土氧化、二氧化硅、硝酸钙、氧化锆；前驱体由钛酸钡混合稀土氧化物，在1000‑1200℃的温度下焙烧0.5‑3h而成；本发明采用前驱体预烧法，先把稀土氧化物和钛酸钡分散均匀后在1000‑1200℃焙烧0.5‑3h成为前驱体，以此增加钛酸钡中稀土元素的掺杂量，使制备的MLCC具有了极高的介电常数和平稳的介温特性曲线，以及低损耗、高绝缘电阻的优良综合性能、在电路中将具有更小的漏电流，更高的可靠性。
一种基于前驱体预烧法制多层 bme 电容器制作方法

[发明专利]脉冲功率型陶瓷介质材料、脉冲功率型陶瓷电容器及其制备方法-CN202310051661.6在审
发明人：熊月龙;陈永虹;宋运雄;林志盛;黄少鹏;郑冬建 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉冲功率型陶瓷介质材料、脉冲功率型陶瓷电容器及其制备方法，以100重量份的BaTiO3为基材，添加有如下重量份的成分：5～8份的铌铁矿SrNb2O6、1～3份的焦绿石相(Bi2‑xErx)(In1/2Nb1/2)2O7、2～4份的(Bi1‑yNdy)(Mg2/3Ta1/3)O3、0.1～1份的MnCO3、0.1～1份的MgO、0.5～3份的Sm2O3、1～2份的BaB2O4；其中，0＜x＜0.05，0＜y＜0.08。本发明制得的脉冲功率型陶瓷介质材料致密度高、介电常数大、介电损耗低，适合用作脉冲功率型陶瓷电容器。
脉冲功率陶瓷介质材料电容器及其制备方法

[发明专利]一种高容薄层化陶瓷电容器、介质材料及其制备方法-CN202210259233.8有效
发明人：熊月龙;陈永虹;宋运雄;林志盛 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种高容薄层化陶瓷电容器、介质材料及其制备方法，一种高容薄层化陶瓷电容器用介质材料，由(Ba1‑xCax)TiO3与添加剂按摩尔份比100:1.8‑8的比例组成，其中0＜x≤0.05；添加剂由乙酰丙酮镁、正硅酸丁酯、过渡金属乙酰丙酮盐按摩尔份比0.8‑1.2:0.5‑0.8:0.2‑4的比例组成；过渡金属乙酰丙酮盐包括乙酰丙酮锰、乙酰丙酮钇、乙酰丙酮钒和乙酰丙酮锆中的一种或多种；本申请限定高容薄层化陶瓷电容器用介质材料的具体组成，采用水热法制备的(Ba1‑xCax)TiO3纳米粉体为基体，采用化学包覆法实现镁金属及其他过渡金属的均匀包覆，使制得的陶瓷电容器具有介电损耗低、介电常数≥2000、良好的绝缘电阻的特点，温度特性满足X5R的要求。
一种薄层陶瓷电容器介质材料及其制备方法

[发明专利]一种长引出端脉冲电容器的生产工艺-CN202210973365.7有效
发明人：朱江滨;吴育东;白龙山;张子山;林志盛;王凯星 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01G4/38 文献下载
摘要：一种长引出端脉冲电容器的生产工艺，长引出端脉冲电容器包括相对设置的两框架、依次堆叠在两框架之间的多个电容芯片和分别设置在相邻两电容芯片之间的多个缓冲垫片；框架包括框架本体和与框架本体连接向外延伸的引出端，引出端的长度为40‑50mm；本申请通过限定脉冲电容器的结构，使得框架具有长引出端的同时还能提高强度，满足所需要的使用需求；并且限定框架回流焊治具的结构及脉冲电容器焊接定位治具的结构，保证框架及脉冲电容器的稳定形成，提高产品的成品率。
一种引出脉冲电容器生产工艺

[实用新型]一种长引出端脉冲电容器及其框架-CN202222142531.7有效
发明人：朱江滨;吴育东;白龙山;张子山;林志盛;王凯星 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01G4/38 文献下载
摘要：一种长引出端脉冲电容器及其框架，框架包括框架本体和与框架本体连接向外延伸的引出端，所述框架本体包括底盘、相对设置在底盘上的两连接盘和设置在两连接盘之间的焊接盘，所述引出端与焊接盘连接，所述焊接盘上形成有用于焊接引出端的焊接槽，本申请长引出端框架由框架本体及长引出端，配合焊接而成，并且进一步限定了框架本体的结构，在焊接盘上形成与长引出端配合的焊接槽，通过结构之间的相互，以使制得的脉冲电容器在具备长引出端结构的同时，还能提高引出端的强度，满足所需要的使用需求。
一种引出脉冲电容器及其框架

[实用新型]一种长引出端脉冲电容器框架回流焊治具-CN202222144172.9有效
发明人：朱江滨;吴育东;白龙山;张子山;林志盛;王凯星 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01G4/228 文献下载
摘要：一种长引出端脉冲电容器框架回流焊治具，长引出端脉冲电容器框架包括框架本体和与框架本体连接向外延伸的引出端，包括基座、设置在基座上的固定座和可拆卸设置在固定座上的定位座，所述定位座包括设置在定位座与固定座相对面上用于固定框架本体的固定槽、设置在定位座上与固定槽连通供引出端穿过的让位孔和设置在定位座上的用于吸附固定框架本体的固定磁铁，通过限定框架回流焊治具的结构，将框架固定在定位座与固定座之间，且定位座与固定座之间可拆卸连接，整体结构简单，便于框架焊接时的装配与拆卸。
一种引出脉冲电容器框架回流焊治具

[外观设计]脉冲支架产品焊接治具-CN202230529733.X有效
发明人：朱江滨;吴育东;张子山;林志盛;王凯星 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： 08-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：脉冲支架产品焊接治具。2.本外观设计产品的用途：放置脉冲电容芯片和支架，以便于脉冲电容芯片与支架的焊接。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
脉冲支架产品焊接

[实用新型]一种长引出端脉冲电容器焊接定位治具-CN202222142573.0有效
发明人：朱江滨;吴育东;白龙山;张子山;林志盛;王凯星 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：一种长引出端脉冲电容器焊接定位治具，包括底座、两限位座、定位机构和调节加压机构；长引出端脉冲电容器，包括相对设置的两框架和堆叠设置在两框架之间的多个电容芯片，框架包括框架本体和与框架本体连接向外延伸的引出端；两限位座，相对设置在底座上，分别用于固定两框架，其上设置有可吸附固定框架的限位磁铁；定位机构，设置在两限位座之间，将两框架夹持固定在多个电容芯片两侧；调节加压机构，设置在底座上，包括与一限位座相对的缓冲调节机构和与另一限位座相对固定两限位座位置的调节固定机构；由缓冲调节机构和调节固定机构配合，可在脉冲电容器进行回流焊时，调节装配应力，避免最后的形成的产品散架，提高产品成品率。
一种引出脉冲电容器焊接定位

[实用新型]一种灌封引线Y型电容器-CN202221183036.4有效
发明人：朱江滨;吴育东;王凯星;张子山;林志盛 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01G4/224 文献下载
摘要：本实用新型提供一种灌封引线Y型电容器，包括间隔布置的两芯片组、公共引线、两单独引线、第一绝缘层、外壳、固定机构和灌封胶，两芯片间隔并排布置，芯片组包括至少一个陶瓷芯片，一芯片组的所有陶瓷芯片的位于同一侧的导电端导电连接形成总导电端，共用引线与两芯片组的位于同一侧的两总导电端连接，两单独引线分别与两芯片组另一总导电端连接，第一绝缘层设置在两芯片组之间以绝缘隔离两芯片组，两芯片组置于外壳内，公共引线和两单独引线伸出外壳外，固定机构设置在公共引线及两单独引线与外壳之间，灌封胶设置在芯片组与外壳之间。本实用新型能够实现抑制共模干扰的作用，且可靠性高，机械性能强，抗震性强，能够满足批量生产需求。
一种引线电容器

[外观设计]脉冲支架电容器-CN202230529742.9有效
发明人：朱江滨;吴育东;张子山;林志盛;王凯星 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：脉冲支架电容器。2.本外观设计产品的用途：安装在电路上，储存电荷。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
脉冲支架电容器

[实用新型]一种模压Y型电容器-CN202221186387.0有效
发明人：朱江滨;吴育东;王凯星;张子山;林志盛 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01G4/236 文献下载
摘要：本实用新型提供一种模压Y型电容器，包括焊接框架、第一芯片模块、第二芯片模块、焊盘和外壳，焊接框架包括间隔布置的第一支架、第二支架和第三支架，第一、第二芯片模块均包括多个陶瓷芯片，第一芯片模块的陶瓷芯片的两导电端分别焊接在第一支架和第二支架上，第二芯片模块的陶瓷芯片的两导电端分别焊接在第一支架和第三支架上，焊盘包括与第一支架连接的两第一引出端、以及分别与第二、第三支架连接的两第二引出端，外壳由对已焊接陶瓷芯片的焊接框架进行模压形成，焊盘伸出外壳。本实用新型能够实现抑制共模干扰的作用，且可靠性高，机械性能强，抗震性强，能够满足批量生产需求。
一种模压电容器

[实用新型]一种板式阵列电容滤波器-CN202221053914.0有效
发明人：朱江滨;吴育东;王凯星;张子山;林志盛 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01G5/01 文献下载
摘要：本实用新型一种板式阵列电容滤波器，包括焊接框架、多个陶瓷电容芯片、引出端、多根接线杆和塑封外壳，焊接框架包括多组焊盘组，焊盘组包括第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘，各焊盘组的第二焊盘分别与多个陶瓷电容芯片的一导电端焊接、第三焊盘分别与这些陶瓷电容芯片的另一导电端焊接，塑封外壳根据焊接陶瓷电容芯片后的焊接框架模压形成，引出端设置在焊接框架上且伸出塑封外壳，各接线杆分别穿过各焊盘组的第一、第二和第三焊盘，并与第一焊盘焊接。本实用新型可靠性高，适配性强，能够适用于多种环境，可根据实际使用情况改变电容量，生产简单。
一种板式阵列电容滤波器

[发明专利]一种模压Y型电容器及其制备方法-CN202210537378.X在审
发明人：朱江滨;吴育东;王凯星;张子山;林志盛 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01G4/236 文献下载
摘要：本发明提供一种模压Y型电容器及其制备方法，包括焊接框架、第一芯片模块、第二芯片模块、焊盘和外壳，焊接框架包括间隔布置的第一支架、第二支架和第三支架，第一、第二芯片模块均包括多个陶瓷芯片，第一芯片模块的陶瓷芯片的两导电端分别焊接在第一支架和第二支架上，第二芯片模块的陶瓷芯片的两导电端分别焊接在第一支架和第三支架上，焊盘包括与第一支架连接的两第一引出端、以及分别与第二、第三支架连接的两第二引出端，外壳由对已焊接陶瓷芯片的焊接框架进行模压形成，焊盘伸出外壳。本发明能够实现抑制共模干扰的作用，且可靠性高，机械性能强，抗震性强，能够满足批量生产需求。
一种模压电容器及其制备方法

[发明专利]一种多芯组电容滤波器及其生产方法-CN202210480063.6在审
发明人：朱江滨;吴育东;王凯星;张子山;林志盛 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明提供一种多芯组电容滤波器及其生产方法，包括焊接框架、多个陶瓷电容芯片、接线杆和塑封外壳，焊接框架包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和引出端，第一、第二焊盘上下间隔布置且相互连接，第三焊盘与第二焊盘上下间隔布置，各陶瓷电容芯片的一导电端分别与第二焊盘焊接，另一导电端分别与第三焊盘焊接，第一、第二和第三焊盘均为环形焊盘，塑封外壳根据焊接陶瓷电容芯片后的焊接框架模压形成，引出端设置在第三焊盘上且伸出塑封外壳，接线杆穿过第一、第二和第三焊盘并与第一焊盘焊接。本发明可靠性高，适配性强，能够适用于多种环境，可根据实际使用情况改变电容量，生产简单。
一种多芯组电容滤波器及其生产方法

[发明专利]一种具有高介电常数的BME瓷介电容器及其制备方法-CN202111098753.7有效
发明人： 林志盛;洪志超;周永昌;喻巧;陈永虹;宋运雄;陈清阳;郑冬建 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：一种具有高介电常数的BME瓷介电容器及其制备方法，BME瓷介电容器由介电层与介电层相互叠加烧制而成，所述介电层包括介质层和印刷在介质层上的电极，介质层包括以下重量份的原料：100份的BZCT主基体、8‑12份的改性PVB、0.8‑2.7份的正硅酸乙酯，改性PVB为掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、Y、Yb、Dy、Ho、Er中的一种或多种元素的PVB，以BZCT材料为主基体，通过合成掺杂改性PVB，在PVB中掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、稀土等元素，并添加适量的正硅酸乙酯，来获得良好的综合性能。
一种具有介电常数 bme 电容器及其制备方法

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