[发明专利]复合场板结构的LDMOS器件制备方法在审
| 申请号： | 202311181190.7 | 申请日： | 2023-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN116913782A | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张有志;于绍欣 | 申请（专利权）人： | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/40 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 范伟民 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种复合场板结构的LDMOS器件制备方法，包括：提供一衬底，且在所述衬底上沉积外延层；在所述衬底上形成STI隔离结构，且将所述衬底划分出若干个有源区；回刻所述STI隔离结构，形成复合场板结构的STI基底；基于所述STI基底，在所述外延层以及部分的所述STI基底上形成多晶硅栅，所述部分的STI基底上的多晶硅栅与所述STI基底形成所述复合场板结构的第一场板区；形成所述复合场板结构的第二场板区，所述第二场板区在回刻后的所述STI隔离结构内，且与所述第一场板区相连。本申请使得LDMOS器件在提高源漏耐压的同时，可以维持一个较低的源漏导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 板结 ldmos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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