[发明专利]一种碳化硅晶须增强铜基复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 202310922721.7 | 申请日： | 2023-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN116926639A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 赖丽燕;毕愈潇;王桂莲;张炎鑫;丁桂甫;李以贵 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术大学 |
| 主分类号： | C25D9/08 | 分类号： | C25D9/08;C25D21/12;C25D21/14 |
| 代理公司： | 上海领匠知识产权代理有限公司 31404 | 代理人： | 陈剑 |
| 地址： | 201418 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅晶须增强铜基复合材料的制备方法，包括如下步骤：将SiCw粉体加入电镀液中，搅拌，制备得到含SiCw的电镀液；将阴极极板、阳极极板插入含SiCw的电镀液中，搅拌下进行电沉积，在阴极极板上沉积得到碳化硅晶须增强铜基复合材料，其中阳极极板为电解铜阳极板。本发明制备过程大多在水溶液中进行，无需高温，避免了传统高温工艺中的剧烈界面反应，且电沉积过程中的液相体系持续搅拌使SiCw均匀分散，可有效地避免SiCw的二次团聚，保持SiCw在Cu基体中分布均匀，解决了复合材料孔隙率高的问题。本发明的碳化硅晶须增强铜基复合材料，SiCw在Cu基体中分布均匀、界面致密无孔，具有较好的力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 增强 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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