[发明专利]场效应晶体管及其制备方法及在其漂移层中制备凹槽结构的方法在审
| 申请号： | 202310664202.5 | 申请日： | 2023-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN116959991A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈端阳;齐红基;包森川 | 申请（专利权）人： | 杭州富加镓业科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 范兵 |
| 地址： | 311421 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种场效应晶体管及其制备方法及在其漂移层中制备凹槽结构的方法，在场效应晶体管的漂移层中制备凹槽结构的方法包括步骤：提供表面上设置有第一漂移层的衬底；将掩膜版放置在第一漂移层上预形成凹槽结构底部的位置；然后在第一漂移层上非掩膜版覆盖的区域外延生长出第二漂移层；利用刻蚀液刻蚀掉掩膜版，在场效应晶体管的第二漂移层中制备得到凹槽结构。本发明采用选区外延的方式，在第一漂移层上非掩膜版覆盖的区域外延第二漂移层，利用刻蚀液刻蚀掉掩膜版，制备得到凹槽结构，避免了干法刻蚀带来的凹槽结构内壁的刻蚀损伤，有效改善了MOS界面质量，对降低器件漏电流、提升器件耐压性能和阈值电压稳定性具有良好的促进作用。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 漂移 凹槽 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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