[发明专利]一种适用于250°C碳化硅基旋转整流二极管在审
| 申请号： | 202310570470.0 | 申请日： | 2023-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN116936481A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 赵学勇 | 申请（专利权）人： | 辽宁芯诺电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;H01L23/04;H01L23/06;H01L23/08;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 南昌智汇百川专利代理事务所(普通合伙) 36157 | 代理人： | 刘鹏 |
| 地址： | 113000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种适用于250℃碳化硅基旋转整流二极管，采用陶瓷金属封装结构，包括管座组件、管帽组件、芯片和键合丝，管帽组件、管座组件自上而下顺序组合在一起，所述芯片烧结在管座组件上，所述管座组件和管帽组件之间设有铜带，所述铜带通过点焊焊接在管帽组件上，芯片与铜带通过键合丝进行键合。本发明属于整流二极管技术领域，具体是提供了一种体积小巧、能够满足高温工况下的散热要求，可以满足通过大电流、耐受高压的需求，并且能够耐受1000A的浪涌电流的适用于250℃碳化硅基旋转整流二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 250 碳化硅 旋转 整流二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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