[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310367116.8 | 申请日： | 2023-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116404035A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 曹鸿涛;杨璐;梁凌燕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层、岛状金属诱导层、源电极和漏电极；其中，所述栅电极位于衬底上，所述栅介质层位于栅电极上，所述沟道层表面形成岛状金属诱导层，所述源电极和漏电极位于岛状金属诱导层表面且相隔设置。使得该薄膜晶体管具有具有较高的电学性能。本发明还公开了一种薄膜晶体管的制备方法。该制备方法简单、高效，能够制备得到具有较少的界面缺陷的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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