[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层、岛状金属诱导层、源电极和漏电极；

其中，所述栅电极位于衬底上，所述栅介质层位于栅电极上，所述沟道层表面形成岛状金属诱导层，所述源电极和漏电极位于岛状金属诱导层表面且相隔设置。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述岛状金属诱导层覆盖沟道层的覆盖率为8.72％-78.47％。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述岛状金属诱导层包括多个岛状金属单元，每个岛状金属单元间隔设置，每个岛状金属诱导单元的间隔为10nm-100μm。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述岛状金属诱导单元的表面为圆形或多边形，岛状金属诱导单元表面的中心到最远点距离为10nm—50μm。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述岛状金属诱导单元的厚度为10nm—100nm。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述岛状金属诱导层的制备方法，包括：

在沟道层表面沉积一层金属诱导层，采用掩膜光刻工艺在金属诱导层表面形成点状光刻胶阵列，接着对未覆盖点状光刻胶阵列进行腐蚀直至暴露沟道层，使用有机溶剂去掉点状光刻胶阵列后得到岛状诱导金属层。

7.一种根据权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

采用真空镀膜技术在衬底上依次沉积栅电极层和栅介质层；

在所述栅介质层表面的部分区域沉积沟道层；

在所述沟道层表面沉积金属诱导层，通过掩膜光刻工艺在金属诱导层表面形成点状光刻胶阵列，腐蚀未覆盖光刻胶的金属诱导层至沟道层，去掉点状光刻胶阵列后得到岛状诱导金属层，然后进行退火处理；

采用磁控溅射技术在退火处理后的岛状诱导金属层上相隔沉积源电极和漏电极得到薄膜晶体管。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述腐蚀未覆盖点状光刻胶的金属诱导层至沟道层，使用的腐蚀液为盐酸、硫酸、硝酸、高氯酸、氢溴酸、氢碘酸、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化钙或氢氧化钡溶液，腐蚀时间为1-60min。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，光刻胶单元间的距离为10nm-100μm。

10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述退火处理的工艺为：退火温度为350℃—400℃，退火时间为35min—60min。