[发明专利]一种场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管有效
| 申请号： | 202310083670.3 | 申请日： | 2023-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN115831760B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 彭聪;宋家琪;柴立元;梁彦杰;闵小波;彭兵;王海鹰;柯勇;刘相恒;刘振兴;周元;赖心婷 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786;H01L29/24 |
| 代理公司： | 长沙知行亦创知识产权代理事务所(普通合伙) 43240 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管，该方法包括步骤：S1.将层状纳米片转移至衬底材料，形成基底物；其中，层状纳米片的厚度为5nm~1μm，衬底材料包括沿衬底材料的厚度方向层叠设置的栅电极和介电层，层状纳米片位于介电层远离栅电极的一侧；S2.将孔状片体覆盖于基底物之上，在孔状片体上喷镀导电金属，以使层状纳米片上对应孔状片的孔洞位置处形成导电金属层，得场效应晶体管，导电金属层的数量至少为两个；其中，孔状片体中孔洞的外径为205~210μm。本发明操作简单、效果显著，值得推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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