[发明专利]一种基于Li掺杂氧化锌锡的双有源层氧化物薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202310073364.1 | 申请日： | 2023-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN116313815A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 郭亮;王冲;迟耀丹;杨小天;王超;杨帆;初学峰;高晓红;王欢;杨佳;吕卅;王苏浩;王庆;李东旭 | 申请（专利权）人： | 吉林建筑大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人： | 刘小娇 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于Li掺杂氧化锌锡的双有源层氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：一、通过光刻剥离方法在基底上刻蚀出有多个有源层沉积区；二、利用掺Li氧化锌靶材和金属锡靶材在有源层沉积区上磁控溅射沉积掺Li氧化锌锡薄膜，得到第一有源层；以及利用氧化锌靶材和金属锡靶材在第一有源层上磁控溅射沉积氧化锌锡薄膜，得到第二有源层；其中，在沉积第一有源层时，O |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 li 掺杂 氧化锌 有源 氧化物 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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