[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202310010326.1 | 申请日： | 2023-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN115692312B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 刘俊哲;汪松;王逸群 | 申请（专利权）人： | 湖北江城芯片中试服务有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 高雪 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底具有相对的正面以及背面；对衬底的正面进行开孔以及填充处理以形成初始硅通孔结构，初始硅通孔结构的底部及侧壁与衬底之间通过绝缘层隔开；对衬底的背面进行露孔处理，以露出部分的绝缘层；去除露出的绝缘层，以露出部分的初始硅通孔结构；于衬底的背面以及初始硅通孔结构露出的表面形成钝化层；去除露出的初始硅通孔结构以及位于露出的初始硅通孔结构表面的钝化层，以形成硅通孔结构；硅通孔结构的表面与位于衬底背面的钝化层的表面相齐平。采用本发明的半导体结构的制备方法能够避免芯片的可靠性降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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