[发明专利]通过测量电阻测量套刻误差的测试键结构及其测试方法在审
| 申请号： | 202310004558.6 | 申请日： | 2023-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN116031243A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王嘉南;杨柳青;李乐 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种通过测量电阻测量套刻误差的测试键结构及其测试方法，包括标定测试键结构及检测测试键结构，标定测试键结构包括标定金属层及位于标定金属层上方的标定通孔，标定通孔内填充有导电材料；检测测试键结构包括自下而上依次设置的第一金属层、通孔层及第二金属层，通孔层包括多个间隔排布的测试通孔，测试通孔与标定通孔规格相同且填充有导电材料，第二金属层包括多个间隔排布的测试金属块，测试金属块与测试通孔一一对应连接。本发明通过WAT电学参数R |
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| 搜索关键词： | 通过 测量 电阻 误差 测试 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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