[实用新型]一种抑制寄生开启的高速IGBT元胞结构有效

专利信息
申请号: 202223339497.9 申请日: 2022-12-14
公开(公告)号: CN219144183U 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 金涛;孔梓玮;许玉欢;周意杰;宋希华 申请(专利权)人: 薪火半导体(深圳)有限公司
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 苏丹
地址: 518100 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及电力电子技术领域的半导体器件,具体为一种能够有效抑制寄生开启的高速IGBT元胞结构,其包括N型基区,N型基区上方设置有P型基区,在P型基区中设置有多个氧化层,氧化层延伸至N型基区中,每个氧化层内有多晶层,一个氧化层和一个多晶层组成沟槽区,沟槽区的数量为三个或者三个以上,位于中部的两个沟槽区内的多晶层连接至器件栅极,其余沟槽区内的多晶层连接至器件的发射极。本实用新型降低了栅极与集电极的耦合作用,增加了栅极与发射极的耦合作用。大幅减少的栅极‑集电极电容能够有效降低器件的开关时间和损耗。大幅增加的栅极‑发射极电容能够有效平抑器件栅极电压受集电极电压波动的影响,并始终保证栅极电压小于器件的阈值电压,防止寄生开启的发生。
搜索关键词: 一种 抑制 寄生 开启 高速 igbt 结构
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于薪火半导体(深圳)有限公司,未经薪火半导体(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202223339497.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top