[实用新型]IGBT器件封装结构有效
| 申请号： | 202223247035.4 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN218677152U | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛;姚阳 | 申请（专利权）人： | 上海埃积半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 童素珠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供IGBT器件封装结构，包括：焊接底板、IGBT芯片、FRD芯片；所述FRD芯片的阳极端通过导电胶与所述IGBT芯片的发射极端粘贴连接形成所述IGBT芯片和所述FRD芯片的纵向叠封结构，所述FRD芯片的阴极端与所述焊接底板通过打线连接；所述IGBT芯片的集电极端与所述焊接底板连接，所述焊接底板与集电极引出端连接，所述IGBT芯片的发射极端通过打线与发射极引出端连接。本实用新型提出了一种IGBT、FRD组合封装结构，可有效提高单个封装体可封装的IGBT、FRD组合数量，从而有效提高单个封装体的电流等级。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
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