[发明专利]耐正负高压的ESD防护器件及其制备方法、电子设备

摘要

本发明适用于半导体器件领域，提供了一种耐正负高压的ESD防护器件及其制备方法、电子设备，该ESD防护器件包括：衬底、形成于衬底中的掩埋层以及形成于衬底和掩埋层上的外延层，并于掩埋层上形成与掩埋层接触且为环状结构的第一高压阱以及为目字状结构的第二高压阱，第二高压阱形成于第一高压阱的内侧，第一高压阱与第一有源区的掺杂浓度逐渐减低，第二高压阱与第二有源区之间的掺杂浓度逐渐减低，然后在第一高压阱内外侧以及第二高压阱的孔结构内设置第三有源区、第四有源区、第五有源区、第六有源区以及第七有源区，从而通过连接有源区或者在有源区之间连接电阻，保证器件的端口正常工作在正负高压下，并具有低漏电流、无击穿延迟的特点。