[发明专利]一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 202211626321.3 | 申请日： | 2022-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN116041047A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 谭洪蕾;邵学亮;李开杰;钟小华 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 清远市清城区诺誉知识产权代理事务所(普通合伙) 44815 | 代理人： | 龚元元 |
| 地址： | 511500 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法。所述IZO掺杂靶材由氧化铟、氧化锌和掺杂氧化物组成；所述IZO掺杂靶材中Zn与In的原子比为Zn/(Zn+In)＝0.1％～7％；所述掺杂氧化物为氧化钽、氧化铈、氧化钛、氧化锗或氧化镓。所述制备方法为：将氧化铟粉末、氧化锌粉末、掺杂氧化物粉末与水、分散剂和粘结剂混合制浆，得到浆料；将所得浆料进行喷雾造粒，得到造粒粉末，然后经过干压和冷等静压后，进行常压烧结，得到所述溅镀用IZO掺杂靶材。本发明IZO掺杂靶材具有较低的ZnO加入量，且掺杂元素具有更多的选择，同时能够达到较高的致密度和导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溅镀用 izo 掺杂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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