[发明专利]改性单晶三元正极材料及其制备方法、锂离子电池在审
| 申请号： | 202211330401.4 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115537906A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 高明昊;刘兴亮;朱文婷;高玉仙 | 申请（专利权）人： | 合肥国轩高科动力能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B29/22;C30B33/04;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 白雪 |
| 地址： | 230012 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种改性单晶三元正极材料及其制备方法、锂离子电池。该制备方法包括：步骤S1，含氧气气氛中，将包括单晶型三元正极前驱体Ni |
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| 搜索关键词： | 改性 三元 正极 材料 及其 制备 方法 锂离子电池 | ||
【主权项】：
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- 本发明涉及石墨烯基础研究及应用技术领域，尤其涉及一种单晶畴、多晶畴石墨烯及其制备方法。本发明提供了一种单晶畴、多晶畴石墨烯及其制备方法，包括以下步骤：在空气气氛下，将石墨烯薄膜加热至130～150℃，退火5～10min，得到单晶畴、多晶畴石墨烯。本发明不需要精确控制制备中的反应条件，甚至可直接购买到原材料，仅需较简单、极其容易控制的实验操作即可获得单晶畴、多晶畴石墨烯样品。即：通过极易获得(实验上制备简单，且已商业化，可通过购买的方式获得)的石墨烯薄膜，通过退火等处理方式获得极难制备的单晶畴、多晶畴石墨烯。且本发明的原料易得、可直接购买。
- 一种快离子导体包覆金属掺杂改性的材料富锂无钴单晶材料及其制备方法-202210953847.6
- 范鑫铭;郭学益;田庆华 - 中南大学
- 2022-08-10 - 2022-10-18 - C30B1/02
- 本发明属于锂离子电池材料技术领域，公开了一种多重改性的富锂无钴单晶材料及其制备方法。通过共沉淀结合后续锂化烧结首先制备出钠铝双金属位点掺杂的富锂无钴单晶材料，再进一步通过固相法得到快离子导体包覆的双金属掺杂的富锂无钴单晶材料。所述掺杂包覆复合改性的富锂无钴单晶材料的化学通式为Li
- 专利分类
