“沈若尧”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310608061.5有效
发明人：祝经明;黄星星;吴进;沈若尧;毕诗博;王凤双;肖永能 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请属于分析坩埚热应力技术领域，公开了一种坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取坩埚的第一结构参数和加热物料的第二结构参数，通过仿真软件，构建对应的内置物料模型的坩埚模型，确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系，并设置坩埚模型和物料模型的材料参数、塑性节点和热膨胀条件，确定热膨胀应变数据的计算方程，基于上述条件和数据，结合预设的温度条件、预设的模型划分条件和预设的求解器设置，计算不同情况下坩埚模型的热应力分布数据，得到不同情况对于坩埚热应力的影响分析结果数据，通过设置黏附接触关系并添加塑性节点，模拟不同情况的热应力分析，提高了分析坩埚热应力的效率和准确度。
坩埚应力影响分析方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种高效制备超净高纯硫酸连续生产装置-CN202210893433.9有效
发明人：刘宏;黎天韵;沈若尧;胡强;徐平;何斌 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C01B17/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效制备超净高纯硫酸连续生产装置，包括依次连接的固体料投放装置、搅拌罐、结晶釜、阴离子交换柱、阳离子交换柱、过滤器、浓缩器、固体料转移装置、真空干燥器、加热分解器、降膜分离器、除雾器、高纯硫酸吸收塔、超滤装置、真空洁净包装系；通过采用上述生产设备，可以以工业级硫酸氢钠为原料，制备出符合SEMI‑C8或SEMI‑C12标准的硫酸，并且产量高，产品质量稳定，以此来克服发烟硫酸和液体三氧化硫原料在使用时存在安全隐患、不环保、进料数量不能精确控制等问题。
一种高效制备净高硫酸连续生产装置

[发明专利]一种高效制备超净高纯硫酸的方法-CN202210891740.3有效
发明人：刘宏;胡强;徐平;沈若尧;朱智渊 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C01B17/74 文献下载
摘要：本发明属于硫酸加工领域，公开了一种高效制备超净高纯硫酸的方法。该方法是以工业级硫酸氢钠为原料，将络合、重结晶、阳离子交换树脂和阴离子交换树脂依次交换、脱水、过热蒸汽微孔膜过滤、真空减压干燥、减压热分解、三氧化硫吸收制备高纯硫酸结合在一起，可以制备出符合SEMI‑C8或SEMI‑C12标准的超净高纯硫酸，并且产量高，产品质量稳定。本发明克服了传统制备方法原料不安全、环保、杂质含量偏高、能耗高的不足。
一种高效制备净高硫酸方法

[发明专利]一种源炉热场分布分析方法、装置、电子设备和存储介质-CN202211348133.9在审
发明人：祝经明;黄星星;吴进;胡强;卫红;沈若尧;王凤双;肖永能 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及热场分析领域，具体为一种源炉热场分布分析方法、装置、电子设备和存储介质。该源炉热场分布分析方法包括步骤：根据源炉中各个部件的结构参数建立二维轴对称简化模型；将二维轴对称简化模型导入COMSOL软件中，并根据各个部件的制作材料设定材料参数；设定各个部件的传热类型；设定温度条件；计算分析得到源炉的热场分布图像，本发明以模拟实验的方式替代实测，确保获得准确的实验结果同时大大减少实验过程的资源浪费和实验成本。
一种源炉热场分布分析方法装置电子设备存储介质

[发明专利]精确调制富硅氧化硅薄膜微观结构的方法及其制得的产物-CN202211339154.4在审
发明人：黄钦;梁芮;沈若尧;赵维;梁锡辉;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种精确调制富硅氧化硅薄膜微观结构的方法及其制得的产物，其中，精确调制富硅氧化硅薄膜微观结构的方法包括以下步骤S20：在透射电镜中原位加热SiOx薄膜样品的同时，将透射电镜产生的电子束辐照在SiOx薄膜样品上，以实现对SiOx薄膜样品的热退火处理。本发明的方法通过加热结合电子束辐照的方式，促进了SiOx薄膜分解成纳米硅晶和二氧化硅的进程，不仅加工区域可以精确控制至纳米级，而且，实现了快速热退火，避免了热退火给SiOx薄膜和衬底造成的损伤。
精确调制氧化薄膜微观结构方法及其产物

[发明专利]激光退火SiOx-CN202211337794.1在审
发明人：黄钦;梁芮;沈若尧;梁锡辉;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开一种激光退火SiOx薄膜制备纳米硅的方法及依其制得的镶嵌有纳米硅晶的二氧化硅，其中，该激光退火SiOx薄膜制备纳米硅的方法包括以下步骤S20：选用低功率密度的连续波激光对SiOx薄膜单元进行激光退火处理。由于退火时采用的激光为连续波激光，其能量密度远远低于脉冲激光，可以避免高能量密度的激光在进行退火处理时因场效应而给SiOx薄膜带来的损伤；而且，由于本发明在退火处理时，采用的激光除了为连续波激光之外，还选用激光中的低功率密度的激光，可以降低在激光退火过程中因激光的热效应给SiOx薄膜带来的损伤。由此，通过本发明的方法可以制得损伤较小的镶嵌有纳米硅晶的二氧化硅。
激光退火 sio base sub

[发明专利]薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210548370.3有效
发明人：祝经明;徐平;胡琅;胡强;卫红;杨振怀;郭可升;侯少毅;毕诗博;沈若尧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明涉及数据模拟分析技术领域，具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟，且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。
薄膜沉积模拟方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种超净高纯电子化学品的蒸发浓缩装置及其应用-CN202111526817.9在审
发明人：徐平;胡强;朱智渊;刘宏;沈若尧;何斌;黎天韵;黄星星 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B01D1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种超净高纯电子化学品的蒸发浓缩装置及其应用，其中的蒸发浓缩装置包括外壳体、内壳体、真空抽气设备以及加热组件；所述外壳体的内腔为一级真空腔体，所述内壳体的内腔为二级真空腔体，所述一级真空腔体和二级真空腔体分别与所述真空抽气设备连接；所述内壳体设置在所述一级真空腔体中，所述外壳体和内壳体的顶部处设有用于密封一级真空腔体和二级真空腔体的顶部开口的顶盖密封组件，所述顶盖密封组件可拆卸设置在所述外壳体和内壳体顶部，所述加热组件的发热端作用在所述内壳体上；所述二级真空腔体中设有用于固定装有样品的烧杯的固定架。本发明实现对超净高纯电子化学品的蒸发浓缩，且快速高效，维护成本低。
一种净高电子化学品蒸发浓缩装置及其应用

[发明专利]可释放负离子的定做服饰-CN201610241131.8在审
发明人： 沈若尧;李青山 -专利权人： 沈若尧
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： A41D1/00 文献下载
摘要：释放负离子的定做服饰是把激发型含能粒子释放负离子发射远红外线的负离子添加剂加到释放负离子的服饰材质中，并对其整体材质进行新的改进。应用负离子添加剂与传统的制造材料进行结合，采用负离子添加技术，把具有释放负离子功能的安娜奥系列负离子添加剂添加到服饰的材料中，把这些材料做成各式各样的服饰，做成的服饰具有和天然秦皇岛一样的生态环境，拥有释放不同负离子浓度、发射远红外线、杀菌、除臭等功能，同时负离子具有镇静、催眠、镇痛、镇咳、止痒、利尿、增食欲、降血压的主要功能，给普通服饰增加了新的功能，并且可以随人们的意愿定做属于自己的服饰，增加了其使用价值。
释放负离子定做服饰

1
共 9 条