[发明专利]用于有机柔性电路的具有高噪声容限新型2T存储单元在审
| 申请号： | 202211249883.0 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115589733A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 赵强 | 申请（专利权）人： | 中国民航大学 |
| 主分类号： | H10K19/20 | 分类号： | H10K19/20;H10K19/10;H10K85/10;H10K77/10;H10K10/46 |
| 代理公司： | 合肥昕华汇联专利代理事务所(普通合伙) 34176 | 代理人： | 祁娜 |
| 地址： | 300300 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于有机柔性电路的具有高噪声容限新型2T存储单元，包括基底，所述基底上依次沉积制备底电极、有机半导体层、浮栅阻挡层、纳米浮栅层、铁电绝缘层和顶电极，且存储单元包含存储晶体管和负载晶体管，且二者以源、漏极串联方式连接，采用公共栅极作为输入端，另二者串联节点为输出端。本发明所提供的高噪声容限2T存储单元在最大30V供电电压下，保持噪声容限为7V(读出时)。通过对器件结构的创新设计，有效改善了读数据时的外部干扰，大幅提高了读数据的噪声容限；同时写入数据时，协同控制两个晶体管的存储开关状态，有效提高了该2T存储单元的存储态分辨窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 有机 柔性 电路 具有 噪声 容限 新型 存储 单元 | ||
【主权项】：
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- 用于有机柔性电路的具有高噪声容限新型2T存储单元-202211249883.0
- 赵强 - 中国民航大学
- 2022-10-12 - 2023-01-10 - H10K19/20
- 本发明公开了用于有机柔性电路的具有高噪声容限新型2T存储单元，包括基底，所述基底上依次沉积制备底电极、有机半导体层、浮栅阻挡层、纳米浮栅层、铁电绝缘层和顶电极，且存储单元包含存储晶体管和负载晶体管，且二者以源、漏极串联方式连接，采用公共栅极作为输入端，另二者串联节点为输出端。本发明所提供的高噪声容限2T存储单元在最大30V供电电压下，保持噪声容限为7V(读出时)。通过对器件结构的创新设计，有效改善了读数据时的外部干扰，大幅提高了读数据的噪声容限；同时写入数据时，协同控制两个晶体管的存储开关状态，有效提高了该2T存储单元的存储态分辨窗口。
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