[发明专利]一种气相法生长碳化硅单晶掺杂均匀性的有效控制方法在审
| 申请号： | 202211209710.6 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115434008A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 李祥彪;仲崇贵 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 许洁 |
| 地址： | 226000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气相法生长碳化硅单晶掺杂均匀性的有效控制方法，根据气相法生长碳化硅单晶的物理特征，通过改变石墨坩埚的内部结构，在石墨坩埚内部原料与籽晶之间加入蜂窝状石墨圆柱体，控制混合原料气体组分在籽晶表面的分布均匀性，达到掺杂碳化硅晶体生长过程中的掺杂物质分布均匀性控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气相法 生长 碳化硅 掺杂 均匀 有效 控制 方法 | ||
【主权项】：
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