[发明专利]存储设备以及用于校准该设备和制造该设备的方法在审

专利信息
申请号: 202211128836.0 申请日: 2022-09-16
公开(公告)号: CN116092540A 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 金周焕;朴俊容;卞辰瑫;申光燮;申殷昔;赵泫润;崔荣暾;崔桢焕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 孙尚白;倪斌
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种方法包括:使用初始上拉代码和初始下拉代码测量第一上拉电路、第二上拉电路、第三上拉电路、第一下拉电路、第二下拉电路和第三下拉电路的线性度,第一上拉电路、第二上拉电路和第三上拉电路中的每一个上拉电路具有基于相应的上拉代码而确定的相应的电阻值,并且第一下拉电路、第二下拉电路和第三下拉电路中的每一个下拉电路具有基于相应的下拉代码而确定的相应的电阻值,以及基于测量结果确定校准设置指示器,该校准设置指示器指示包括第一上拉电路、第二上拉电路、第三上拉电路、第一下拉电路、第二下拉电路和第三下拉电路在内的发送驱动器的校准方法。
搜索关键词: 存储 设备 以及 用于 校准 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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