[发明专利]一种铜表面DLC膜层制备方法在审

申请号：	202211006452.1	申请日：	2022-08-22
公开（公告）号：	CN115627457A	公开（公告）日：	2023-01-20
发明（设计）人：	田修波;靳朋礼;巩春志	申请（专利权）人：	哈尔滨工业大学
主分类号：	C23C16/515	分类号：	C23C16/515;C23C16/26;C23C16/02;C23C14/08;C23C14/48;C23C28/04
代理公司：	哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213	代理人：	侯静
地址：	150001 黑龙***	国省代码：	黑龙江;23
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摘要：	一种铜表面DLC膜层制备方法，本发明涉及一种铜表面DLC膜层制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术中铜基体表面沉积DLC膜层结合力差、耐腐蚀性差的问题。本发明通过在铜基体表面引入适量的氧元素，采用高压脉冲的电离氧气，获得高能氧离子，轰击铜基体表面，达到氧注入铜基体和活化铜表面形成适量的氧化铜的效果。之后，进行氧与四甲基硅烷混合气体放电，沉积打底层，目的为了形成Cu‑O‑Si网链结构，提高了Cu与类金刚石膜层之间的结合力。本发明应用于DLC膜层制备领域。
搜索关键词：	一种表面 dlc 制备方法
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摘要：本发明的利用自源自偏压空心阴极放电法沉积DLC薄膜的装置及基于该装置沉积DLC薄膜的方法，涉及沉积DLC薄膜的装置和方法，目的是为了克服由于现有技术所采用方法的局限性，导致无法灵活地对工件的局部进行镀膜的问题，装置包括笼网、真空室、高压脉冲电源、偏压脉冲电源和解耦装置；笼网笼罩在待镀膜工件表面需镀膜区域，笼网与待镀膜工件之间具有间隙且绝缘，笼网与待镀膜工件总体构成空心阴极放电结构；方法具体步骤如下：步骤一、沉积硅过渡层；步骤二、沉积薄膜。本发明的有益效果是：装置简单，笼网大小可以根据所需镀膜范围任意调节，能够满足不同尺寸表面的局部镀膜要求，灵活性好。

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摘要：本实用新型提供一种镀膜设备及其电极装置，其中所述电极装置用于一镀膜设备，以在基材的表面制备薄膜，其中所述电极装置包括一组电极元件和一供电单元，其中相邻的所述电极元件之间界定一支撑空间用于放置该基材，其中所述供电单元具有互为正负极的第一极端和第二极端，其中各所述电极元件被交替地接入所述第一极端和所述第二极端，其中所述供电单元用于提供电压使相邻的所述电极元件互为正负极以形成电场，以供所述镀膜设备以化学气相沉积的方式制备薄膜于该基材的表面。

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发明人：张溪文;李敏伟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： C23C16/515
摘要：本实用新型公开的制备非晶氢硅薄膜的装置，包括绝缘陶瓷制的反应室，反应室的相对两壁设有对称的平面狭缝式进气通道和出气通道，反应室内有两块上下平行的电极，上电极与高压脉冲电源相连，其下表面覆盖厚度2mm以下的陶瓷板，下电极固定在加热器上并接地，加热器与反应室外的加热温控装置相连。该装置结构简单，使用方便，应用该装置可以实现在多种传统基板或低熔点基板上于常温或低温快速沉积，所制备的非晶氢硅薄膜的禁带宽度1.92～2.18eV，光、暗电导比大于两个数量级，有望在太阳能电池、建筑节能玻璃等领域获得应用。

沉积膜形成方法、沉积膜形成装置、沉积膜及使用其的感光体-200680021460.6
发明人：池田昭彦;大久保大五郎;川上哲哉;中村隆;笹原正光;长浜大辅 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C23C16/515
摘要：本发明供一种沉积膜形成方法及能够实现该方法的装置，该沉积膜形成方法包括将沉积膜形成对象物(10)收容在反应室(4)的第一步骤、向反应室(4)供给反应性气体的第二步骤、对在反应室(4)中间隔开配置的第一导体(3)和第二导体(40)之间施加脉冲状直流电压的第三步骤。优选是在第三步骤中，将第一导体(3)和第二导体(40)之间的电位差设定在50V以上3000V的范围，对第一及第二导体(3、40)施加的脉冲状直流电压的脉冲频率设定为300kHz以下。脉冲状直流电压的脉冲的占空比例如设定为20％以上90％以下。

气体介质中的微细电火花沉积加工脉冲电源-200710071874.6
发明人：王振龙;金柏冬;方宇;彭子龙 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： C23C16/515
摘要：气体介质中的微细电火花沉积加工脉冲电源，它涉及一种脉冲电源，它为了克服材料不能够充分熔融而造成加工不稳定的问题。它的第一直流电源的正极连接第一开关电路和第二开关电路的输入端，第二直流电源的正极连接第三开关电路的输入端，第三开关电路、第一开关电路和第二开关电路的输出端连接电火花加工平台的工具电极的输入端和控制电路的一个输入端，第一直流电源的负极和第二直流电源的负极连接电火花加工平台的工作台和控制电路的另一个输入端，控制电路的输出端分别连接第一开关电路的控制端、第二开关电路的控制端和第三开关电路的控制端。它降低沉积表面的裂纹、孔洞等缺陷，提高材料的表面质量，获得均匀致密的沉积结构，提高沉积加工的效率。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]一种铜表面DLC膜层制备方法在审

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