[发明专利]抗蚀剂组合物在审
| 申请号： | 202210945261.5 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN115373220A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 斯科特·刘易斯;理查德·温培尼;斯蒂芬·耶茨;安东尼奥·费尔南德兹 | 申请（专利权）人： | 曼彻斯特大学 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/038;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;杨明钊 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及抗蚀剂组合物。本申请涉及抗蚀剂组合物，具体涉及能用于光刻术中、特别是用于集成电路和派生产品的制造中的光致抗蚀剂。本申请的抗蚀剂组合物包括具有显著量的空隙并因此具有较少散射中心的抗散射成分，使得在曝光期间更加限制辐射散射事件。这种抗散射效应能够通过减少与光刻技术相关的常见邻近效应而使得分辨率改善，从而允许制造更小、更高分辨率的微芯片。此外，某些实施方式包括直接与抗蚀剂组分相连的抗散射组分，这能够改善总体光刻化学，从而在分辨率和抗蚀剂敏感性方面均提供益处。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 组合 | ||
【主权项】：
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