[发明专利]晶片的处理方法在审
申请号: | 202210798327.2 | 申请日: | 2022-07-08 |
公开(公告)号: | CN115642105A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供晶片的处理方法,即使晶片的正面上存在突起状物,也能够在不使晶片破损或损伤的情况下解决碎屑直接附着于器件芯片的正面侧而使品质降低的问题。该晶片的处理方法是由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片的处理方法,其中,该晶片的处理方法包含如下的工序:低粘性树脂包覆工序,在晶片的正面上涂布粘性低的第一液态树脂而覆盖形成有多个器件的区域;高粘性树脂包覆工序,在该低粘性树脂包覆工序之后,在晶片的正面上涂布粘性比第一液态树脂高的第二液态树脂而与该第一液态树脂重叠;树脂硬化工序,使已包覆的第一液态树脂和第二液态树脂硬化;以及平坦化工序,将硬化的树脂平坦化。 | ||
搜索关键词: | 晶片 处理 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造