[发明专利]应用于FBAR的高质量单晶压电薄膜及谐振器结构制备方法在审
| 申请号： | 202210496483.3 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN114883479A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 郝明明;罗瑜驰;王云才 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L41/316 | 分类号： | H01L41/316;C30B25/18;C30B28/12;C30B29/40;C30B33/02;H01L41/053;H01L41/18 |
| 代理公司： | 佛山市君创知识产权代理事务所(普通合伙) 44675 | 代理人： | 冼柏恩 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种应用于FBAR的高质量单晶压电薄膜及谐振器结构制备方法，该薄膜制备方法包括以下步骤：采用SiC作为衬底，并对SiC衬底进行预处理；通过MOCVD在预处理后的衬底上沉积一层AlN薄层，该AlN薄层作为过渡层；通过低温磁控溅射方法在过渡层上溅射出多晶AlN薄膜；对AlN薄膜进行高温面对面退火处理；在高温作用下，AlN薄膜的晶粒再结晶，使晶粒长大，再通过合并减少晶粒间的界面，形成高质量单晶AlN薄膜。本发明采用SiC作为AlN压电薄膜的衬底，能够减少热膨胀系数和晶格失配造成的影响，从而提高FBAR压电薄膜AlN的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 fbar 质量 压电 薄膜 谐振器 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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