[发明专利]半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202210378473.X | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN115568212A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 朴台镇;金熙中;李相昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈懂;刘林果 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：有源区，包括第一杂质区和第二杂质区；字线，位于有源区上并且沿着第一方向延伸；位线，位于字线上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸，位线连接到第一杂质区；第一接触插塞，位于位线之间，第一接触插塞连接到第二杂质区；接合垫，分别位于第一接触插塞上；以及间隙填充结构，填充接合垫之间的空间，间隙填充结构的顶表面高于接合垫的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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