[发明专利]一种消泡型芯片封装工艺在审
| 申请号： | 202210264944.4 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114597135A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 赖泽联;胡鑫;苏晓亭;杨虎成 | 申请（专利权）人： | 江苏华芯智造半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 徐州先卓知识产权代理事务所(普通合伙) 32555 | 代理人： | 于浩 |
| 地址： | 221200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消泡型芯片封装工艺，属于芯片封装领域，一种消泡型芯片封装工艺，可以实现在常态环境下消除芯片封装过程中产生的气泡，通过将磁粉加入至树脂内部形成具有磁性的磁性树脂，并将电磁铁设置在芯片的下方，借助电磁铁对磁性树脂内部磁粉的磁性吸引，使得磁粉带动树脂均匀紧密的填充在芯片上方的缝隙中，有效的消除树脂封装芯片过程中产生气泡，并且磁性树脂内部包含的磁粉固化后可以有效的提升封装层磁性树脂的导热性，在一定程度上提升了芯片的品质，同时，通过将封装结束后的芯片放置在交流退磁箱内部，可以有效的将磁性树脂内部的磁粉进行脱磁处理，避免芯片在使用时受到磁性干扰，有利于保障芯片使用稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消泡型 芯片 封装 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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