[发明专利]一种半导体结构及制备方法与应用在审
| 申请号： | 202210097167.9 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114497308A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 吕振兴;齐胜利;刘亚柱;赵耀;张丽 | 申请（专利权）人： | 宁波安芯美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/38;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海汉之律师事务所 31378 | 代理人： | 周婷婷 |
| 地址： | 315300 浙江省宁波市宁波杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种半导体结构及制备方法与应用，所述制备方法，至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成半导体外延层，且所述半导体外延层包括依次设置的第一类型半导体层、量子阱层和第二类型半导体层；通入第一类型气体，刻蚀所述半导体外延层一侧的第二类型半导体层、量子阱层以及预设厚度的第一类型半导体层；通入第二类型气体，刻蚀修复刻蚀后的所述第一类型半导体层，形成修复层；在所述修复层上形成第一电极；以及在所述第二类型半导体层上形成第二电极。本发明提供的一种半导体结构及制备方法与应用，能有效改善半导体结构电极的欧姆接触困难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波安芯美半导体有限公司，未经宁波安芯美半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210097167.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
