[发明专利]半导体元件被覆用玻璃以及使用其的半导体被覆用材料在审

专利信息
申请号: 202180013428.8 申请日: 2021-01-26
公开(公告)号: CN115066404A 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 广濑将行 申请(专利权)人: 日本电气硝子株式会社
主分类号: C03C3/066 分类号: C03C3/066;H01L21/316
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供实质上不含环境负荷物质、能够以900℃以下的烧成温度被覆、并且耐酸性优异、且表面电荷密度低的半导体元件被覆用玻璃。本发明的半导体元件被覆用玻璃的特征在于,含有ZnO+SiO240~65%、B2O37~25%、Al2O35~15%、MgO 8~22%作为玻璃组成,实质上不含铅成分。
搜索关键词: 半导体 元件 被覆 玻璃 以及 使用 用材
【主权项】:
暂无信息
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