[发明专利]一种基于光刻蚀的n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置有效
| 申请号： | 202111490843.0 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114150382B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 王蓉;耿文浩;皮孝东;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B33/10;C30B33/04 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及碳化硅单晶片制造领域，公开了一种基于光刻蚀的n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供n型碳化硅晶锭和金属催化剂，n型碳化硅晶锭的表面镀有导电材料层，将导电材料层和金属催化剂形成电路短路后浸泡入刻蚀液中，采用特定波长的入射光进行照射，入射光照射在晶锭内部的非晶层表面，在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，光生电子沿电路富集于金属催化剂上，刻蚀液对具有光生空穴的非晶层表面进行刻蚀，得到n型碳化硅单晶片；本发明在光电压作用下，非晶层表面导带中的光生电子沿外电路富集于金属催化剂上，而非晶层表面价带中留下的光生空穴则在刻蚀液的参与下对非晶层进行刻蚀，所得单晶片表面无应力残余。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 刻蚀 碳化硅 晶片 剥离 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学杭州国际科创中心，未经浙江大学杭州国际科创中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111490843.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
