[发明专利]基于P沟道和N沟道MOSFET管的PWM功率放大电路在审
申请号: | 202111440073.9 | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN114362612A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 乔海岩;孟凡强;刘新波;李泽锋;李仲彬;韩丽娟;井孟凯 | 申请(专利权)人: | 河北汉光重工有限责任公司 |
主分类号: | H02P7/28 | 分类号: | H02P7/28;H03F3/21 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 袁瑞霞 |
地址: | 056002 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提出了一种基于P沟道和N沟道MOSFET管的PWM功率放大电路,不需要泵升电路来进行桥式电路上桥臂的导通,电路输出能够恒保持为高电平。本发明电路构造简单,对栅极驱动模块要求低,不需要泵升电路来进行桥式电路上桥臂的导通;电路输出可恒保持为高电平。 | ||
搜索关键词: | 基于 沟道 mosfet pwm 功率 放大 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
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