[发明专利]分栅式闪存存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种分栅式闪存存储器及其制造方法，通过对半导体衬底进行热处理，来形成至少覆盖栅极结构的侧壁的氧化保护层，通过所述热处理形成的氧化保护层具有较高的致密性，可以对栅极结构中的电子起到较好的阻挡作用，防止栅极结构中的电子流失。进一步的，氧化保护层与其侧壁上的栅极侧墙相配合，可以进一步增加对栅极结构中电子的阻挡，从而有效防止栅极结构中的电子流失，进而提高分栅式闪存存储器的数据保持能力和可靠性。此外，在对所述半导体衬底进行热处理时，还能够激活半导体衬底中的源漏区中的掺杂离子，故可以省去用于激活掺杂离子的退火工艺，节省工艺制程及工艺时间，提高制程效率。