[发明专利]PVDF压电薄膜敏感元件的转印腐蚀制备方法在审
| 申请号： | 202111420016.4 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114203896A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 龚文强;王选择 | 申请（专利权）人： | 湖北工业大学 |
| 主分类号： | H01L41/332 | 分类号： | H01L41/332 |
| 代理公司： | 武汉仁合利泰专利代理事务所(特殊普通合伙) 42275 | 代理人： | 别望望 |
| 地址： | 430068 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及PVDF压电薄膜敏感元件制备技术领域，具体为PVDF压电薄膜敏感元件的转印腐蚀制备方法。作为对PVDF压电薄膜掩模腐蚀法的改进，本发明公开的转印腐蚀方法以定制转印膜中的印刷层作为化学腐蚀过程中的掩模，以转印膜转印方式实现掩模精确定位。本发明公开的转印腐蚀方法解除原有掩模腐蚀法对PVDF压电薄膜敏感元件有效面形状、尺寸设计的限制，使设计自由度得到显著提升。掩膜与PVDF压电薄膜之间均匀、牢靠粘贴且精准定位，使PVDF压电薄膜敏感元件有效面形状、尺寸精度要求得到保证。本发明公开的转印腐蚀方法有利于PVDF压电薄膜掩模腐蚀过程的标准化。应用该方法，在普通实验室条件下即能有效提升PVDF压电薄膜敏感元件成品质量，提高工作效率，促进PVDF压电薄膜传感器相关的研究工作。 | ||
| 搜索关键词： | pvdf 压电 薄膜 敏感 元件 腐蚀 制备 方法 | ||
【主权项】：
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