[发明专利]一种高集成高可靠IGBT功率模块及其制造方法在审
| 申请号： | 202110999766.5 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113707643A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 孟繁新;王博;陈侃;周斌;江加丽;冉龙玄;张亮 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/367;H01L23/373;H01L25/18;H01L21/768 |
| 代理公司： | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人： | 杨成刚 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 一种高集成高可靠IGBT功率模块及其制造方法，包括：金属底板、金属底板固定孔、多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片、模块引脚、键合丝、4个IGBT芯片、4个二极管芯片，组成H桥电路结构；综合采用了金属底板、多层陶瓷基片、裸芯片装结键合、金属固接等工艺技术，将多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片贴装焊接在金属底板上，将4个IGBT芯片、4个二极管芯片按设计布局贴装焊接相应基片上。解决了现有IGBT模块耐高压性能差、组装密度低、散热措施复杂、可靠性低的问题。广泛应用于半导体功率电力器件的封装工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 可靠 igbt 功率 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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