[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110839941.4 | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN114864552A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 泽登昭仁 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具备基板、设置于基板的半导体芯片、被覆半导体芯片的树脂及设置于树脂的金属膜。金属膜具备第1金属层、设置于第1金属层的第2金属层及设置于第2金属层的第3金属层。第1金属层和第2金属层包含相同的材料。第2金属层的粒径比第1金属层的粒径小、和/或第2金属层的电阻率比第1金属层的电阻率大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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