[发明专利]一种具有低导通电压高抗闩锁能力的IGBT及其制备方法在审
| 申请号： | 202110792612.9 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113725292A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 高明超;刘江;李立 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有低导通电压高抗闩锁能力的IGBT及其制备方法，在有源区沟槽栅之间设置分离的沟槽，沟槽可以在击穿特性，可靠性和关断损耗无明显变化的情况下允许载流子存储层有更高的掺杂，进一步降低导通电压，实现导通电压和关断损耗折中的提升；沟槽有助于将耗尽区和电势推入更深的衬底中，远离沟槽底端，降低沟槽底端电场强度，提高击穿特性，降低了与沟槽底部的高电场相关联的可靠性的影响，如热电载流子退化或者时间相关的介电击穿；在分离沟槽中间设置浅凹槽P+发射区，提高抗闩锁能力，提高器件安全工作区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 通电 压高抗闩锁 能力 igbt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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