[发明专利]半导体存储器件的设计方法、装置、存储介质及制备方法有效
| 申请号： | 202110721672.1 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113451313B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 永井享浩 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈敏;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体存储器件的设计方法、装置、存储介质及制备方法，该方法包括从所述多个单元电容器中至少划分出第一组电容器和第二组电容器，使得所述第一组电容器与所述第二组电容器的串联电容值等于所述目标电容值；将所述多个单元电容器的上电极均连接至第一互连金属层，将所述第一组电容器中各个单元电容器的下电极均连接至第二互连金属层，将所述第二组电容器中各个单元电容器的下电极均连接至第三互连金属层。在不改变整个半导体存储器件的尺寸(即不改变上电极互连金属层尺寸)的情况下，使得整个半导体存储器件的电容值比所有单元电容器的并联电容值小很多，工艺难度和工艺成本都大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 设计 方法 装置 介质 制备 | ||
【主权项】：
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