[发明专利]新型GaN共源放大器及其凹槽刻蚀制备方法在审
| 申请号： | 202110684736.5 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113471072A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;邹苹;陈勇;吴钧烨;杨嘉颖;林钰恒;林峰;黎晓华;贺威;宋利军;黄双武 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳尚业知识产权代理事务所(普通合伙) 44503 | 代理人： | 王利彬 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种新型GaN共源放大器的凹槽刻蚀制备方法，该制备方法包括：在n型高掺杂自支撑GaN衬底上生长外延结构，外延结构包括GaN缓冲层以及AlGaN缓冲层；在外延结构表面顺序镀上一个源极和两个漏极；在两个漏极之间进行凹槽刻蚀；在外延结构表面镀上栅极，形成新型GaN共源放大器，栅极位于源极与漏极之间。本发明还提供一种新型GaN共源放大器。本制备方法在两个漏极之间进行凹槽刻蚀，从而减少其中载流子的运动而使这部分区域的电阻变大，无需外加电阻，减少了生产的工序，增加产品的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 gan 放大器 及其 凹槽 刻蚀 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
