[发明专利]一种Micro LED芯片单体器件的制备方法、显示模块及显示装置在审
申请号: | 202110657401.4 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN113299803A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 曹冰;杨帆;蔡鑫 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/36;H01L27/15 |
代理公司: | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人: | 唐学青 |
地址: | 215104 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请提供一种Mi cro LED芯片单体器件的制备方法、显示模块及显示装置,该微米发光二极管(M i cro‑LED)芯片的制备方法包括:将蓝光外延片制作成Mi cro‑LED晶粒阵列结构;在Mi cro‑LED晶粒侧面及凹槽内沉积绝缘层;在Mi cro‑LED晶粒阵列表面沉积电流扩展层;在Mi cro‑LED晶粒阵列外围沉积两圈电极作为阳极与阴极,其中内圈电极置于电流扩展层之上,外圈电极置于N型GaN之上,所有晶粒共用阳极与阴极。该方式利用氧化物对阵列结构进行绝缘与钝化,降低了刻蚀工艺带来的侧壁损伤问题以及漏电流问题;利用高透过率的电流扩展层全覆盖P型GaN,降低P型GaN电流扩展能力差,电流积聚问题,同时可实现特定区域内的Mi cro‑LED晶粒的同步调控,并且解决了电极挡光的问题,增加了发光面积,有效提高了发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 micro led 芯片 单体 器件 制备 方法 显示 模块 显示装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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