[发明专利]一种高散热性能的晶圆级扇出封装方法及结构在审
| 申请号： | 202110649671.0 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113380634A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王波;葛迎飞;张荣臻 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高散热性能的晶圆级扇出封装方法及结构，属于晶圆级封装领域。提供功能芯片，在其背面居中贴装散热片；用封装材料封装所述功能芯片和所述散热片；在所述功能芯片的正面制作金属连接线、介质层；对封装材料进行研磨至露出所述散热片，制作引出管脚，再进行切割得到单颗电路，构成完整的晶圆级封装体。本发明的高散热性能的晶圆级扇出封装结构，适用于晶圆级扇出封装，不仅能够保障封装整体的结构强度，也能满足部分芯片背面要接地的需求；有效提高了晶圆级封装中的功能芯片散热性能，有效解决了传统晶圆级封装中芯片散热性能差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 散热 性能 晶圆级扇出 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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