[发明专利]一种减少三维存储器的数据刷新操作的方法及装置有效
| 申请号： | 202110608795.4 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113241107B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 王颀;杨柳;何菁;李前辉;于晓磊;霍宗亮;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L27/11517;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种减少三维存储器的数据刷新操作的方法及装置，当检测到存储块中的数据的误码率大于或等于第一预设阈值时，将存储块作为目标存储块，确定位于目标存储块中的目标存储层，对目标存储层的相邻层进行数据刷新，对目标存储层的相邻层的存储页施加编程电压，以利用字线串扰效应向目标存储层内的存储页注入电子，编程电压使相邻层的存储页的阈值电压高于存储器的存储页的最高阈值电压，当检测到目标存储层中的数据的误码率大于或等于第一预设阈值时，对目标存储层进行数据刷新。即通过相邻层对目标存储层的字线串扰效应，延长目标存储层的数据存储时间，减少三维存储器的总数据刷新次数，降低因数据刷新对三维存储器性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 三维 存储器 数据 刷新 操作 方法 装置 | ||
【主权项】：
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